中科汇珠(广州)半导体有限公司胡现芝获国家专利权
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龙图腾网获悉中科汇珠(广州)半导体有限公司申请的专利承载盘组件及外延设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223866831U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520517494.4，技术领域涉及：C30B25/12；该实用新型承载盘组件及外延设备是由胡现芝;黄敏;杨军伟;宋华平设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本承载盘组件及外延设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种承载盘组件及外延设备，该承载盘组件包括承载盘和盖环，承载盘的第一表面包括凹槽区和围绕凹槽区的边缘区，凹槽区由承载盘的第一表面向承载盘的第二表面凹陷第一深度形成，凹槽区包括晶圆放置区。盖环盖合于承载盘上且包括本体部和凸起部，本体部盖合于边缘区，凸起部与本体部连接且向靠近凹槽区的一侧凸出，悬设于凹槽区之上，凸起部在承载盘的正投影与晶圆放置区具有交叠部分。盖环盖合于承载盘后，盖环的凸起部位于晶圆上方，形成盖板结构，缩小了凸起部的下表面与晶圆上表面之间的间隙，使得气体难以进入晶圆与凹槽区侧壁之间的缝隙，从而阻挡气体进入晶圆背面，从而避免外延片背面“白斑”的形成。
本实用新型承载盘组件及外延设备在权利要求书中公布了：1.一种承载盘组件，其特征在于，包括： 承载盘1，所述承载盘1的第一表面11包括凹槽区111和围绕所述凹槽区111的边缘区112，所述凹槽区111由所述承载盘1的第一表面11向所述承载盘1的第二表面12凹陷第一深度形成，所述凹槽区111包括晶圆放置区1111； 盖环2，盖合于所述承载盘1上，所述盖环2包括本体部21和凸起部22，所述本体部21盖合于所述边缘区112，所述凸起部22与所述本体部21连接且向靠近所述凹槽区111的一侧凸出，悬设于所述凹槽区111之上，所述凸起部22在所述承载盘1的正投影与所述晶圆放置区1111具有交叠部分1111a。
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