中芯集成电路(宁波)有限公司刘伟民获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利一种检测叉指间距的半导体结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223866364U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423152678.X,技术领域涉及:B81C99/00;该实用新型一种检测叉指间距的半导体结构是由刘伟民;丁本利;杨国煌;朱丰;徐日;石丹丹设计研发完成,并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种检测叉指间距的半导体结构在说明书摘要公布了:本实用新型提供了一种检测叉指间距的半导体结构,半导体结构包括:第一衬底;导电层,导电层设置于所述第一衬底的一侧,所述导电层上设置有电连接设置的焊盘结构和触点结构;MEMS器件,所述MEMS器件设置在所述导电层远离所述第一衬底的一侧,所述MEMS器件包括多个叉指电极和与所述多个叉指电极连接的连接结构;其中,所述连接结构与所述焊盘结构连接,所述触点结构上施加电压时,所述MEMS器件内的多个叉指电极之间的间距通过电容值确定。本申请通过在触点结构上施加电压,可以快速准确地测量多个叉指电极之间的电容值,并根据电容值的变化精准地确定多个叉指电极之间的间距变化,从而精确监控了整根叉指的间距变化,提高了对工艺异常监测的准确度。
本实用新型一种检测叉指间距的半导体结构在权利要求书中公布了:1.一种检测叉指间距的半导体结构,其特征在于,所述半导体结构包括: 第一衬底; 导电层,所述导电层设置于所述第一衬底的一侧,所述导电层上设置有电连接设置的焊盘结构和触点结构; MEMS器件,所述MEMS器件设置在所述导电层远离所述第一衬底的一侧,所述MEMS器件包括多个叉指电极和与所述多个叉指电极连接的连接结构; 其中,所述连接结构与所述焊盘结构连接,所述触点结构上施加电压时,所述MEMS器件内的多个叉指电极之间的间距通过电容值确定。
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