中南大学罗紫彦获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中南大学申请的专利基于二维铁磁本征温控磁化特性的存储器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310545B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511860798.1，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权基于二维铁磁本征温控磁化特性的存储器件及制备方法是由罗紫彦;杨倩旎设计研发完成，并于2025-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于二维铁磁本征温控磁化特性的存储器件及制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于存储器件领域，具体涉及基于二维铁磁本征温控磁化特性的存储器件及制备方法，存储器件包括衬底、源电极、漏电极、栅电极、沟道层和栅极介电层，源电极、漏电极和栅电极设置于衬底上；沟道层设置于源电极和漏电极之间，沟道层包括二维铁磁材料薄片；栅极介电层覆盖于栅电极及全部沟道层上，在高于载流子类型转变温度的条件下，能通过栅极电压对沟道层磁性进行非易失性编程；在低于该转变温度的条件下，沟道层对相同栅极写入操作呈现磁性状态稳定性，实现热控写入保护。该二维铁磁存储器件无需复杂堆叠结构或外部磁场，仅通过温度与栅压协同即可实现可编程、非易失、高稳定性的磁存储功能，器件结构简单，功耗低。
本发明授权基于二维铁磁本征温控磁化特性的存储器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二维铁磁本征温控磁化特性的存储器件，其特征在于，包括： 衬底110； 源电极120和漏电极130，设置于所述衬底110上； 栅电极140，设置于所述衬底110上，与所述源电极120和漏电极130形成侧栅结构； 沟道层150，设置于所述源电极120和漏电极130之间，所述沟道层150包括二维铁磁材料薄片； 栅极介电层160，覆盖于所述栅电极140及全部沟道层150上，由离子液体与聚合物构成的离子凝胶形成，在施加栅极电压时，在所述离子凝胶与所述沟道层150的界面处形成纳米级双电层，其中，在高于载流子类型转变温度的条件下，能通过栅极电压对沟道层150磁性进行非易失性编程；在低于该转变温度的条件下，沟道层150对相同栅极写入操作呈现磁性状态稳定性，实现热控写入保护。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中南大学，其通讯地址为：410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励