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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利SISL器件的设计优化方法、装置、服务器及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121189263B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511735804.0，技术领域涉及：G06F30/373；该发明授权SISL器件的设计优化方法、装置、服务器及存储介质是由闫淑霞;张学松;衣若冰设计研发完成，并于2025-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本SISL器件的设计优化方法、装置、服务器及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SISL器件的设计优化方法、装置、服务器及存储介质，属于器件优化技术领域。包括：将SISL完整结构分解为简易结构和过渡结构，将简易结构和过渡结构分别作为简易结构细模型和过渡结构细模型；构建与简易结构相同电路结构的第一等效电路，将第一等效电路作为简易结构粗模型；构建与过渡结构相同电路结构的第二等效电路，将第二等效电路作为过渡结构粗模型；分别基于简易结构和过渡结构的细模型和粗模型，得到简易结构电路尺寸的最优解和过渡结构电路尺寸的初步解；基于最优解，优化初步解，得到过渡结构电路尺寸的最优解。通过降维分解和替代模型辅助，实现SISL器件的高效、精准设计。

本发明授权SISL器件的设计优化方法、装置、服务器及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种SISL器件的设计优化方法，其特征在于，包括： 基于SISL器件分解耦合公式，将SISL完整结构分解为简易结构和过渡结构，将所述简易结构和过渡结构分别作为简易结构细模型和过渡结构细模型，所述简易结构是所述SISL完整结构中中间层介质基板层电路，所述过渡结构是所述SISL完整结构中上层介质基板层电路、下层介质基板层电路和金属过孔； 构建与所述简易结构相同电路结构的第一等效电路，将所述第一等效电路作为简易结构粗模型； 构建与所述过渡结构相同电路结构的第二等效电路，将所述第二等效电路作为过渡结构粗模型； 基于所述简易结构细模型和简易结构粗模型，得到所述简易结构电路尺寸的最优解； 基于所述过渡结构细模型和过渡结构粗模型，得到所述过渡结构电路尺寸的初步解； 基于所述简易结构的电路，根据所述简易结构电路尺寸的最优解和所述过渡结构电路尺寸的初步解，构建过渡单线结构，包括：将所述简易结构的电路替换为简易单线结构，所述简易单线结构利用第一传输线生成；利用所述第一传输线连接所述过渡结构，构建过渡单线结构，所述第一传输线的长度等于所述简易结构电路尺寸的最优解确定的简易结构电路长度，所述过渡结构的电路尺寸对应所述过渡结构电路尺寸的初步解确定的过渡结构电路尺寸； 基于过渡单线结构和空间映射原理，构建过渡单线结构替代模型；以所述过渡单线结构中电路尺寸为初始值，调整所述过渡单线结构的电路尺寸；在所述过渡单线结构替代模型的输出响应和简易单线结构的输出响应的误差收敛到容差范围内时，将所述过渡单线结构的电路尺寸确定为过渡结构电路尺寸的最优解。

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