合肥晶合集成电路股份有限公司赵志豪获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利用于对晶圆进行失焦补偿的方法、半导体器件及相关产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121187086B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511715014.6，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权用于对晶圆进行失焦补偿的方法、半导体器件及相关产品是由赵志豪;李海峰;沈俊明;古哲安设计研发完成，并于2025-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于对晶圆进行失焦补偿的方法、半导体器件及相关产品在说明书摘要公布了：本披露公开了一种用于对晶圆进行失焦补偿的方法、半导体器件及相关产品。该方法包括：确定衬底产品的参考聚焦深度；根据平整的衬底样品在参考聚焦深度和浮动聚焦深度下光刻形成的关键尺寸，构建关键尺寸与变焦幅度的变化曲线；其中，浮动聚焦深度为在参考聚焦深度的基础上变焦形成的若干聚焦深度，变焦幅度为浮动聚焦深度与参考聚焦深度的深度差；利用变化曲线对衬底产品光刻形成的实际关键尺寸进行失焦补偿。通过本披露实施例的方案，能够通过衬底样品预先确定关键尺寸与变焦幅度的变化曲线，进而借助该变化曲线和衬底产品的实际关键尺寸进行有针对性地失焦补偿，从而提高补偿的效率和准确性，改善实际生产过程中的CD均匀性问题和稳定性问题。
本发明授权用于对晶圆进行失焦补偿的方法、半导体器件及相关产品在权利要求书中公布了：1.一种用于对晶圆进行失焦补偿的方法，其特征在于，包括： 确定衬底产品的参考聚焦深度； 根据平整的衬底样品在所述参考聚焦深度和浮动聚焦深度下光刻形成的关键尺寸，构建关键尺寸与变焦幅度的变化曲线；其中，所述浮动聚焦深度为在所述参考聚焦深度的基础上变焦形成的若干聚焦深度，所述变焦幅度为所述浮动聚焦深度与所述参考聚焦深度的深度差； 利用所述变化曲线对所述衬底产品光刻形成的实际关键尺寸进行失焦补偿； 其中确定衬底产品的参考聚焦深度包括： 利用带有微透镜结构的光罩对所述衬底产品进行焦距能量矩阵光刻工艺，以确定最佳曝光条件下的参考聚焦深度；所述微透镜结构设置在所述光罩的切割道上； 在利用带有微透镜结构的光罩对所述衬底产品进行焦距能量矩阵光刻工艺之前，所述方法还包括： 在光罩的切割道上制作特征图形结构；以及 对所述特征图形结构进行镀膜工艺，以形成所述微透镜结构。
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