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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种金属钼衬底上的垂直结构GaN基p-i-n型紫外探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121174618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511709979.4，技术领域涉及：H10F30/223；该发明授权一种金属钼衬底上的垂直结构GaN基p-i-n型紫外探测器是由秦福文;闫硕轩;康瑞宸;姜明佐;马春雨设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属钼衬底上的垂直结构GaN基p-i-n型紫外探测器在说明书摘要公布了：本发明属于宽禁带半导体光电探测器件技术领域，涉及一种金属钼衬底上的垂直结构GaN基p‑i‑n型紫外探测器。采用金属钼作为衬底，在金属钼衬底的上表面有图形化背电极层，在图形化背电极层未覆盖的金属钼衬底的上表面有钼扩散阻挡层，在图形化背电极层和钼扩散阻挡层的上表面依次横向外延过生长有GaN缓冲层、n型GaN层、n型AlxxGa1‑x1‑xN层、i型AlyyGa1‑y1‑yN层和p型AlzzGa1‑z1‑zN层，在p型AlzzGa1‑z1‑zN层的上表面有钝化层，在钝化层上开槽，直至露出p型AlzzGa1‑z1‑zN层，在钝化层的槽内设置p型电极。本发明避免热应力引起紫外探测器中各GaN基膜层的龟裂，增大光谱响应率，降低响应时间。

本发明授权一种金属钼衬底上的垂直结构GaN基p-i-n型紫外探测器在权利要求书中公布了：1.一种金属钼衬底上的垂直结构GaN基p-i-n型紫外探测器，其特征在于，所述的垂直结构GaN基p-i-n型紫外探测器，采用金属钼作为衬底，在金属钼衬底的上表面为一层不完全覆盖的图形化背电极层，所述的图形化背电极层从下至上是MoSi2层和Ga掺杂ZnO层的叠层结构，且图形化背电极层在金属钼衬底的上表面为凸起的周期化图形结构，在图形化背电极层未覆盖的金属钼衬底的上表面为钼扩散阻挡层，在图形化背电极层和钼扩散阻挡层的上表面由下至上依次外沿有GaN缓冲层、n型GaN层、n型AlxGa1-xN层、i型AlyGa1-yN层和p型AlzGa1-zN层，在p型AlzGa1-zN层的上表面为钝化层，在钝化层上开槽；所述的开槽，在钝化层选择一个居中的正方形区域，开平行于单元边界的多个矩形槽，且在正方形区域的外侧全部开槽，控制开槽部分的总投影面积占原钝化层面积的30%~65%，直至露出p型AlzGa1-zN层，在钝化层的槽内设置与p型AlzGa1-zN层接触的p型电极；其中：0.1≤x≤0.7,0.1≤y≤0.7,0.1≤z≤0.7。

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