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龙图腾网获悉中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所申请的专利一种氧化硅上化学计量比氮化硅厚膜结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121171881B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511704562.9，技术领域涉及：H10P14/694；该发明授权一种氧化硅上化学计量比氮化硅厚膜结构及其制备方法是由陈佳旭;冯梁森;李维;李昱东;刘雅丽;杨永军设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化硅上化学计量比氮化硅厚膜结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化硅上化学计量比氮化硅厚膜结构及其制备方法，所述方法包括：采用晶向为的硅衬底，在氮气气氛中湿氧氧化生长热氧化氧化硅层，退火得到样片；在样片上旋涂光刻胶，在光刻胶表面放置第一光刻板进行曝光和刻蚀，刻蚀掉晶圆边缘的氧化硅层；通过第二光刻板进行曝光和刻蚀，将预制图案转移到氧化硅层，将氧化硅层完全刻穿，再采用湿法腐蚀氧化硅层；进行第一次氮化硅生长，将样片沿晶向旋转规定角度并退火；进行第二次氮化硅生长，将样片沿晶向反向旋转规定角度并退火；进行第三次氮化硅生长，退火得到目标样片。本发明能够得到无裂纹、高良率的氧化硅上氮化硅厚膜，并且工艺流程简单、容易复现、可以节约制备成本。

本发明授权一种氧化硅上化学计量比氮化硅厚膜结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化硅上化学计量比氮化硅厚膜结构的制备方法，其特征在于，包括： 步骤S1、采用晶向为100的硅衬底，在氮气气氛中湿氧氧化生长热氧化氧化硅层，生长结束后在1100℃以上的温度下退火，得到样片； 步骤S2、在样片上旋涂光刻胶，在光刻胶表面放置第一光刻板进行曝光，所述第一光刻板预制有与晶圆同心的图案，图案的边缘为曲率连续的平滑曲线，曲线上的任意一点与晶圆边缘的距离大于3个划片槽的距离，曝光后同心图案部分的光刻胶保留下来； 步骤S3、在光刻机中曝光后以保留下来的光刻胶为掩膜进行湿法或干法刻蚀，刻蚀掉晶圆边缘的氧化硅层； 步骤S4、对样片进行去胶处理后二次旋涂光刻胶，通过第二光刻板进行曝光，所述第二光刻板预制有多条细槽图案，曝光后图案预制到光刻胶中； 步骤S5、通过干法刻蚀将预制在光刻胶中的图案转移到氧化硅层，将氧化硅层完全刻穿，再采用湿法腐蚀氧化硅层； 步骤S6、对样片进行去胶处理并清洗，在氮气氛围中升温至温度750-830℃，在反应腔室中通入二氯二氢硅和氨气，进行第一次氮化硅生长； 步骤S7、第一次氮化硅生长后将样片沿晶向旋转规定角度，将反应腔升温，在氮气氛围中退火6小时以上； 步骤S8、在步骤S6中的条件下进行第二次氮化硅生长； 步骤S9、第二次氮化硅生长后将样片沿晶向反向旋转规定角度，将反应腔升温，在氮气氛围中退火6小时以上； 步骤S10、在步骤S6的条件下进行第三次氮化硅生长，在步骤S7的条件下退火，得到目标样片。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所，其通讯地址为：100095 北京市海淀区温泉镇环山村1066信箱；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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