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深圳市埃芯半导体科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市埃芯半导体科技有限公司申请的专利层间对准误差的测量方法、装置及电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121165410B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511696790.6,技术领域涉及:G03F7/20;该发明授权层间对准误差的测量方法、装置及电子设备是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成,并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

层间对准误差的测量方法、装置及电子设备在说明书摘要公布了:本申请提供一种层间对准误差的测量方法、装置及电子设备,其方法包括:获取待测量的套刻标记图像;采用多级模板对套刻标记图像进行匹配定位,获得第一标记框对应的第一ROI区域和第二标记框对应的第二ROI区域;基于第一ROI区域和第二ROI区域,对第一标记框和第二标记框进行波峰定位,计算得到第一标记框对应的第一中心点位置坐标和第二标记框对应的第二中心点位置坐标;计算第一中心点位置坐标与第二中心点位置坐标之间的位置距离,将位置距离输出为层间对准误差的测量结果。基于该方法可以有效解决低对比度、高噪声环境下多目标定位的相互干扰问题,可以实现稳定、高效、高精度的标记中心定位,提高层间对准测量精度。

本发明授权层间对准误差的测量方法、装置及电子设备在权利要求书中公布了:1.一种层间对准误差的测量方法,其特征在于,包括: 获取待测量的套刻标记图像,所述套刻标记图像中包含有不同层的第一标记框和第二标记框; 采用多级模板对所述套刻标记图像进行匹配定位,获得所述第一标记框对应的第一ROI区域和第二标记框对应的第二ROI区域,其中,所述多级模板中配置有大小不一的一级模板和二级模板,使用所述二级模板在进行匹配定位获得第二标记框对应的第二ROI区域之前,将所述套刻标记图像中基于所述一级模板定位得到的第一ROI区域所处位置进行抗干扰处理,以消除所述套刻标记图像中所述第一标记框的特征; 基于所述第一ROI区域和所述第二ROI区域,对所述第一标记框和所述第二标记框进行波峰定位,计算得到所述第一标记框对应的第一中心点位置坐标和所述第二标记框对应的第二中心点位置坐标; 计算所述第一中心点位置坐标与所述第二中心点位置坐标之间的位置距离,将所述位置距离输出为层间对准误差的测量结果。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市埃芯半导体科技有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号101;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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