合肥晶合集成电路股份有限公司杨少华获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121152289B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511699262.6，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由杨少华;杨昱霖;沈娅;蔡马龙设计研发完成，并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供衬底，衬底包括第一区和第二区，在第一区和第二区的衬底上均形成有栅极结构，在衬底上依次形成应力层、多晶硅层和图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层暴露出所述第二区；以图形化的光刻胶层为掩模，执行第一次离子注入工艺，以形成NOMS源漏结构并在多晶硅层中掺硼；去除光刻胶层，并在无掩模的状况下去除第一区的多晶硅层和应力层；在无掩模的状况下执行第二次离子注入工艺，以在第一区的栅极结构两侧形成POMS源漏结构；去除第二区的多晶硅层并执行SMT工艺。本发明仅需一张掩模板及一次独立的光刻工艺步骤，降低了工艺的复杂度和时间成本，也大大降低了整体的制造成本。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区，在所述第一区和第二区的衬底上均形成有栅极结构，在所述衬底上依次形成应力层、多晶硅层和图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出所述第二区； 以所述图形化的光刻胶层为掩模，执行第一次离子注入工艺，以在所述第二区的栅极结构两侧形成NOMS源漏结构，并在所述第二区的多晶硅层中掺硼； 去除所述光刻胶层，并在无掩模的状况下去除所述第一区的多晶硅层和应力层； 在无掩模的状况下执行第二次离子注入工艺，以在所述第一区的栅极结构两侧形成POMS源漏结构； 去除所述第二区的多晶硅层并执行SMT工艺。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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