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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种校正光罩布局的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121142889B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511676880.9，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权一种校正光罩布局的方法是由赵志豪;李海峰;沈俊明;古哲安设计研发完成，并于2025-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种校正光罩布局的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种校正光罩布局的方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，先基于相邻像素图形之间的间距长度，筛选出间距长度不满足预设范围的多个像素图形，然后再对筛选出的像素图形的关键尺寸进行不同比例的N次倍缩，以构建出若干第一测试光罩，而后基于晶圆数据和增量极限次优解以及两边夹定理的结合，确定出初始光罩的最佳倍缩比率，即得到目标光罩，得到意想不到的效果是：仅利用初始光罩中少部分像素图形，便可快速确定出初始光罩中各像素图形的最佳倍缩比率，提高了光罩的制作效率、质量、以及光罩和晶圆的空间利用率，并降低了光罩的制作成本。

本发明授权一种校正光罩布局的方法在权利要求书中公布了：1.一种校正光罩布局的方法，其特征在于，包括： 提供具有多个像素图形的初始光罩和初始光刻条件； 基于相邻所述像素图形之间的间距长度，筛选出间距长度不满足预设范围的多个所述像素图形，并对筛选出的所述像素图形的关键尺寸进行N次倍缩，以形成若干第一测试光罩，其中所述N≥1； 获取所述若干第一测试光罩在所述初始光刻条件下曝光在晶圆上的晶圆数据，并对所述晶圆数据进行函数拟合，以得到所述像素图形的关键尺寸参数和所述初始光刻条件的曝光参数的函数关系，所述曝光参数包括曝光剂量参数和焦深参数； 对所述函数关系进行增量极限次优解计算，以确定出所述像素图形的关键尺寸参数的次优解； 对所述像素图形的关键尺寸参数的次优解临近的取值进行分割，并利用两边夹定理对分割所得到的多组取值进行夹逼，以得到所述像素图形的关键尺寸参数的最优解和所述像素图形的最佳倍缩比率； 利用所述最佳倍缩比率，对所述初始光罩中的所述像素图形进行倍缩，以得到目标光罩； 其中，对筛选出的所述像素图形的关键尺寸进行N次倍缩，以形成所述若干第一测试光罩的步骤，包括： 获取筛选出的所述像素图形在所述初始光刻条件下曝光在晶圆上的晶圆数据，并基于该晶圆数据计算所述初始光罩的光罩误差增强因子； 将所述光罩误差增强因子作为倍缩比率，对筛选出的所述像素图形的关键尺寸进行N次倍缩，且将每次倍缩后的像素图形重新组建成一第一测试光罩；并且，所述N次倍缩所对应的倍缩比率不同。

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