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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种防止上电过压的保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121123937B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511656964.6，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权一种防止上电过压的保护电路是由陈志坚;何浩彬;钟世广;李斌;王日炎;贺黉胤;杨昆明设计研发完成，并于2025-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种防止上电过压的保护电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种防止上电过压的保护电路，涉及芯片电路，针对现有技术中过压保护手段不完善的问题提出本方案。包括脉冲控制信号产生模块和低阻开关；所述脉冲控制信号产生模块获取待保护工作电路的上电信号，输出一个单一脉冲的控制信号至所述低阻开关的使能端；所述低阻开关在所述控制信号作用下将待保护工作电路的上电过压节点拉至安全电平。优点在于，采用响应迅速的数字电路与互补开关始终在上电时对上电过压节点进行保护，不再依赖于该节点的实时监测情况。而低阻开关能够在完成上电保护后持续保持关闭，不干扰工作电路后续的正常运行。

本发明授权一种防止上电过压的保护电路在权利要求书中公布了：1.一种防止上电过压的保护电路，其特征在于，包括脉冲控制信号产生模块和低阻开关； 所述脉冲控制信号产生模块获取待保护工作电路的上电信号，输出一个单一脉冲的控制信号至所述低阻开关的使能端； 所述低阻开关在所述控制信号作用下将待保护工作电路的上电过压节点拉至安全电平； 所述低阻开关结构为： 第一PMOS管PM1源极连接第三节点net3，第一PMOS管PM1漏极连接待保护工作电路的上电过压节点，第一PMOS管PM1栅极连接反相使能信号； 第一NMOS管NM1源极连接第三节点net3，第一NMOS管NM1漏极连接待保护工作电路的上电过压节点，第一NMOS管NM1栅极连接使能信号； 第二PMOS管PM2源极连接电源AVDD，第二PMOS管PM2漏极连接第一电阻R1一端，第二PMOS管PM2栅极连接反相使能信号； 第一电阻R1另一端连接第三节点net3； 第二电阻R2一端连接第三节点net3，另一端接地； 所述安全电平由第一电阻R1及第二电阻R2分压产生； 所述脉冲控制信号产生模块结构为： 第一非门INV1输入端连接上电信号，第一非门INV1输出端连接第二节点net2； 第二非门INV2输入端连接第二节点net2，第二非门INV2输出端分别连接第三PMOS管PM3栅极以及第二NMOS管NM2栅极； 第三PMOS管PM3源极连接电源AVDD，第三PMOS管PM3漏极连接第一节点net1； 第二NMOS管NM2源极接地，第二NMOS管NM2漏极经过第三电阻R3后连接第一节点net1； 第一电容C1上极板连接第一节点net1，第一电容C1下极板接地； 异或门XOR第一输入端连接第一节点net1，异或门XOR第二输入端连接第二节点net2，异或门XOR输出端作为脉冲控制信号产生模块的输出端连接所述低阻开关的使能端； 第四PMOS管PM4源极连接电源AVDD，第四PMOS管PM4漏极连接异或门XOR输出端，第四PMOS管PM4栅极连接上电信号。

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