合肥晶合集成电路股份有限公司王冉获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利构建三维损伤程度模型的方法、损伤程度评价方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121123052B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511639568.2，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权构建三维损伤程度模型的方法、损伤程度评价方法及系统是由王冉;林东亿;林祐丞;杨智强;遇鑫遥设计研发完成，并于2025-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本构建三维损伤程度模型的方法、损伤程度评价方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种构建三维损伤程度模型的方法、损伤程度评价方法及系统，包括：选取标准件，标准件的XY平面上定义至少三个同心圆形区域，每个圆形区域内设置多个测量点，测量并记录测量点的标准润湿角；选取多个样本，样本为经预设工艺处理后的晶圆，在晶圆的低介电材料层表面上，在晶圆上设置测量点，并测量晶圆上各测量点的表面润湿角；基于标准润湿角和所述表面润湿角计算测量点的损伤程度；对各测量点进行切片，测量每个切片的截面润湿角，以及计算每个测量点的损伤深度；基于损伤程度、损伤深度，以及表面润湿角，构建三维损伤程度模型。本发明能够精确量化等离子刻蚀对低介电材料的损伤程度，并明确损伤来源。
本发明授权构建三维损伤程度模型的方法、损伤程度评价方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种构建三维损伤程度模型的方法，其特征在于，包括以下步骤： 选取标准件，在所述标准件的XY平面上定义至少三个同心圆形区域，每个圆形区域内设置多个测量点，测量并记录各测量点的标准润湿角； 选取多个样本，所述样本为经预设工艺处理后的晶圆，对于每个晶圆，在晶圆的低介电材料层表面上，按照所述标准件上设置测量点的方法设置测量点，并测量所述晶圆上各测量点的表面润湿角；基于所述测量点的所述标准润湿角和所述表面润湿角计算测量点的损伤程度；对各测量点分别进行切片，并测量每个切片的截面润湿角，以及计算每个测量点的损伤深度； 基于所述损伤程度、损伤深度以及表面润湿角，构建三维损伤程度模型。
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