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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种高深宽比硅穿孔结构的图形化方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121123022B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511666072.4，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权一种高深宽比硅穿孔结构的图形化方法及半导体结构是由王士京;王兆祥;梁洁;李俭;张名瑜;汪新学设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高深宽比硅穿孔结构的图形化方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种高深宽比硅穿孔结构的图形化方法及半导体结构，包括在硅衬底的第一表面上形成硅空腔；执行周期性循环的刻蚀工艺，在小于‑15℃下，在硅空腔的底面上形成贯通硅衬底的高深宽比硅穿孔结构；刻蚀工艺使用SF66和O22作为沉积气体；刻蚀工艺包括依次衔接的第一刻蚀阶段、第二刻蚀阶段和第三刻蚀阶段，第一刻蚀阶段使用F22和N22作为刻蚀气体，第二刻蚀阶段使用F22和PF33作为刻蚀气体，第三刻蚀阶段使用F22和CF44作为刻蚀气体。本申请能够在硅衬底的同一面实现硅空腔和硅穿孔的图形化制作，简化了工艺，并能提高对侧壁进行保护时的可靠性和均匀性，获得极其垂直的侧壁形貌，同时提高刻蚀速率。

本发明授权一种高深宽比硅穿孔结构的图形化方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种高深宽比硅穿孔结构的图形化方法，其特征在于，包括： 提供硅衬底； 在所述硅衬底的第一表面上形成硅空腔； 在所述硅空腔的底面上形成多个有机物掩膜； 执行刻蚀工艺，在小于-15℃的第一温度下，通过所述有机物掩膜，对在所述底面上露出的所述硅衬底进行刻蚀，在所述底面下方的所述硅衬底上形成贯通所述硅衬底的高深宽比硅穿孔结构； 所述刻蚀工艺包括依次按沉积步骤、刻蚀步骤形成的多个周期性循环步骤；所述沉积步骤使用第一气体作为沉积气体，在形成中的所述高深宽比硅穿孔结构的侧壁和所述有机物掩膜的露出表面上形成聚合物层，以在刻蚀时对所述侧壁和所述有机物掩膜进行保护；所述刻蚀步骤使用第二气体作为刻蚀气体，对所述聚合物层和所述硅衬底进行刻蚀；所述第一气体包括SF6和O2，所述第二气体包括F2，以及N2、PF3和CF4； 其中，所述刻蚀工艺包括依次衔接的第一刻蚀阶段、第二刻蚀阶段和第三刻蚀阶段，分别用于形成所述高深宽比硅穿孔结构的依次衔接的顶部、中部和底部，所述第一刻蚀阶段使用F2和N2作为刻蚀气体，所述第二刻蚀阶段使用F2和PF3作为刻蚀气体，所述第三刻蚀阶段使用F2和CF4作为刻蚀气体。

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