合肥晶合集成电路股份有限公司马文斌获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利改善翘曲晶圆CDU的方法、曝光方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121091615B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511613303.5，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权改善翘曲晶圆CDU的方法、曝光方法、半导体器件是由马文斌;张祥平设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善翘曲晶圆CDU的方法、曝光方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善翘曲晶圆CDU的方法、曝光方法、半导体器件。其中，改善翘曲晶圆CDU的方法是预先获取用于表征晶圆翘曲度与光刻胶层的剖面轮廓值之间关系的第一对应关系表，以及用于表征晶圆关键尺寸与光刻胶层的剖面轮廓值之间关系的标准摆荡曲线；且以光刻胶层的剖面轮廓值为衔接桥梁，获取用于表征翘曲度与关键尺寸之间关系的第二对应关系表。由此根据第二对应关系表和能量与关键尺寸的比值，建立曝光剂量补偿数据表，并针对待曝光晶圆的翘曲度可以精准获取曝光补偿配方。因此，以获取的曝光补偿配方进行曝光补偿，可有效改善晶圆关键尺寸的均匀度。不仅无需重复多次返工，工艺效率高且节约成本，还能够实现晶圆关键尺寸的均匀度改善的量产化。
本发明授权改善翘曲晶圆CDU的方法、曝光方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种改善翘曲晶圆CDU的方法，其特征在于，包括： 提供不同翘曲度的多片晶圆，且每片所述晶圆上形成有光刻胶层； 获取每片所述晶圆上所述光刻胶层的剖面轮廓值，并构建所述光刻胶层的剖面轮廓值与所述翘曲度的第一对应关系表； 根据所述第一对应关系表和标准摆荡曲线，构建所述翘曲度和关键尺寸的第二对应关系表； 根据所述第二对应关系表和能量与关键尺寸的比值，建立曝光剂量补偿数据表； 提供一待曝光晶圆，并获取所述待曝光晶圆的翘曲度； 至少根据所述待曝光晶圆的翘曲度和所述曝光剂量补偿数据表，获取曝光补偿配方； 采用所述曝光补偿配方对所述待曝光晶圆执行曝光工艺； 其中，所述标准摆荡曲线用于表征晶圆的关键尺寸与光刻胶层的剖面轮廓值之间的对应关系；所述能量是指光刻过程中曝光光源提供的曝光能量。
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