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龙图腾网获悉中国计量大学申请的专利基于霍尔效应拓扑光子晶体太赫兹波路由器及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121091425B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511627192.3，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权基于霍尔效应拓扑光子晶体太赫兹波路由器及其方法是由李九生;王佳慧;熊日辉;郭风雷设计研发完成，并于2025-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于霍尔效应拓扑光子晶体太赫兹波路由器及其方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于霍尔效应拓扑光子晶体太赫兹波路由器及其方法，属于集成波导领域。该路由器包括倒转拓扑光子晶体区域、缺陷拓扑光子晶体Z字形波导区域、缺陷拓扑光子晶体矩形环腔波导区域、缺陷拓扑光子晶体C形波导区域、正向拓扑光子晶体区域，且缺陷拓扑光子晶体Z字形波导区域内设有激励的太赫兹波源。本发明的太赫兹谷霍尔拓扑路由器对多种频率的右旋圆偏振太赫兹波输入可以产生不同传输分束功能，具有良好的单向传输、抗背向散射、低损耗传输和强过弯能力，可用于实现大容量、集成化、多功能的太赫兹波复用。

本发明授权基于霍尔效应拓扑光子晶体太赫兹波路由器及其方法在权利要求书中公布了：1.一种基于霍尔效应拓扑光子晶体太赫兹波路由器，其特征在于，整个光子晶体区域的外边界呈矩形，由两端连接所述外边界两条侧边的缺陷拓扑光子晶体Z字形波导区域2分割为互不连通的第一分区和第二分区；缺陷拓扑光子晶体Z字形波导区域2的输入端设有激励的太赫兹波源6； 第一分区全部为倒转拓扑光子晶体区域1； 第二分区由缺陷拓扑光子晶体平行四边形环腔波导区域3和缺陷拓扑光子晶体C形波导区域4分割为三个子分区，其中由缺陷拓扑光子晶体平行四边形环腔波导区域3围合的第一子分区以及由缺陷拓扑光子晶体C形波导区域4与所述外边界围合的第二子分区均为倒转拓扑光子晶体区域1，剩余的第三子分区均为正向拓扑光子晶体区域5； 所述倒转拓扑光子晶体区域1由全介质三叶草形倒转拓扑光子晶体9作为周期单元周期性排列而成； 所述正向拓扑光子晶体区域5由正向拓扑光子晶体10作为周期单元周期性排列而成； 所述全介质三叶草形倒转拓扑光子晶体9和正向拓扑光子晶体10均为全介质硅材质的单元结构，内部由全等的第一椭圆形空气孔、第二椭圆形空气孔和第三椭圆形空气孔围绕单元中心呈120度旋转对称排列形成三叶草开孔结构，且全介质三叶草形倒转拓扑光子晶体9和正向拓扑光子晶体10的三叶草开孔结构呈镜像对称分布，但第一椭圆形空气孔的长轴均垂直于所述外边界的底边。

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