灿芯半导体(上海)股份有限公司李梦凡获国家专利权
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龙图腾网获悉灿芯半导体(上海)股份有限公司申请的专利一种应用于DDR的VREF产生电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121070123B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511612691.5，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种应用于DDR的VREF产生电路是由李梦凡;周玉镇;孔亮设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种应用于DDR的VREF产生电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于DDR的VREF产生电路，属于集成电路设计技术领域，该VREF产生电路使用电流源和电阻连接的方式来产生VREF电压，包括:一个电阻；多个电流源模块，每个电流源模块包括一个MOS管；经过控制信号选择的偏置电压输入端，用于产生不同的电流；输出端，用于输出VREF电压。本发明，通过电流源与电阻结合的方式替代传统电阻分压结构，显著减少了元器件数量，降低了电路面积和成本，同时保持了VREF电压的精度和稳定性，适用于高性能DDR存储器接口电路。
本发明授权一种应用于DDR的VREF产生电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于DDR的VREF产生电路，其特征在于，该VREF产生电路使用电流源和电阻连接的方式来产生VREF电压，包括: 一个电阻； 多个电流源模块，每个电流源模块包括一个MOS管； 控制信号输入端，用于接收多位控制信号； 输出端，用于输出VREF电压； 其中，所述多位控制信号控制各传输门导通状态，用于接通或断开Bias电压与MOS管之间连接的电路，从而通过调节流经所述电阻的电流大小，以调节输出VREF电压的值； 所述MOS管的数量为7个，对应7位控制信号； 所述输出端通过传输门选通输出，所述传输门的数量与所述控制信号的位数相同； 所述控制信号为数字信号，通过解码电路生成。
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