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龙图腾网获悉新创源云海(成都)科技有限公司申请的专利一种半导体载带高精度成型方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121062189B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511621844.2，技术领域涉及：B29C51/46；该发明授权一种半导体载带高精度成型方法及系统是由何志平;章俊;李照设计研发完成，并于2025-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体载带高精度成型方法及系统在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体载带高精度成型方法及系统，属于半导体封装材料加工技术领域。所述方法包括：基于热塑性基材与导电填料的参数建立热力电耦合模型，并基于热力电耦合模型确定片材的成型控制参数；按照成型控制参数执行时移式温度分配，使片材各区域同步塑化并形成对应的载带口袋结构；在塑化过程中，实时基于结构光与光学相干层析检测获得的载带口袋结构的几何误差矩阵执行局部加热修正；在局部加热修正完成后，通过交变电场驱动导电填料沿厚度方向重新分布并经冷却定形，获得半导体载带。本发明方案实现了载带成型几何精度与导电层均匀性的协同提升，从而显著提高半导体载带的尺寸稳定性和防静电一致性。

本发明授权一种半导体载带高精度成型方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体载带高精度成型方法，其特征在于，所述方法包括： 基于热塑性基材与导电填料的参数建立热力电耦合模型，并基于所述热力电耦合模型确定片材的成型控制参数；其中， 基于热塑性基材与导电填料的参数建立热力电耦合模型，包括：分别基于热塑性基材的导热系数、热膨胀系数和弹性模量建立热力子模型，基于导电填料的电导率、体积分数和分布均匀性建立电场子模型；以热力子模型输出的温度分布和应力分布作为电场子模型的边界条件，并以电场子模型输出的焦耳热分布作为热力子模型的反馈输入，定义两模型间的耦合变量；在所述耦合变量约束下构建片材单元的耦合控制方程，求解得到片材在加热与冷却阶段的温度场、应力场与电场联合分布结果，以形成用于描述片材成型行为的热力电耦合模型； 基于所述热力电耦合模型确定片材的成型控制参数，包括：提取所述热力电耦合模型输出的温度场、应力场与电势分布，建立以口袋深度、步距及表面电阻偏差为目标的控制函数，并设定塑化温度阈值、应力上限与目标电阻范围作为约束条件；在所述约束条件下求解得到各加热区域的基准温度、升温速率、保温时间和冷却梯度，形成区域化温度曲线集；基于各加热区域的热响应时移量计算时移偏置参数，并与所述区域化温度曲线集关联生成时移温度曲线；依据模型预测的成型应力与回弹量确定压力加载水平与加载时序，形成与所述时移温度曲线相匹配的压力控制参数，生成成型控制参数； 按照所述成型控制参数执行时移式温度分配，使片材各区域同步塑化并形成对应的载带口袋结构； 在塑化过程中，实时基于结构光与光学相干层析检测获得的载带口袋结构的几何误差矩阵执行局部加热修正；其中， 实时基于结构光与光学相干层析检测获得的载带口袋结构的几何误差矩阵执行局部加热修正，包括：将实时采集的载带口袋结构光检测的表面轮廓数据和光学相干层析检测的厚度分布数据融合生成三维几何误差矩阵；识别误差超过预设阈值的区域并确定对应的加热功率和作用时长；按误差分布顺序执行分区加热，使高于设计尺寸的区域受控回流、低于设计尺寸的区域保持约束，以实时消除几何偏差；在修正后复采几何数据并与上一轮误差矩阵比对，若残余误差低于终止判据则锁定当前加热参数，否则重复修正迭代直至形成几何精度闭环控制； 在局部加热修正完成后，通过交变电场驱动导电填料沿厚度方向重新分布并经冷却定形，获得半导体载带；其中， 在局部加热修正完成后，通过交变电场驱动导电填料沿厚度方向重新分布并经冷却定形，获得半导体载带，包括：在载带仍处于软化状态时施加频率为1kHz~5kHz的交变电场，以驱动导电填料在厚度方向产生周期性迁移；依据载带厚度及导电填料体积分数设定电场强度，使导电填料在厚度方向形成均匀分布的电势梯度并保持整体形貌稳定；在导电填料迁移达到稳定分布后逐步降低电场频率并执行冷却定形，以固化导电层空间位置，获得半导体载带。

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