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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利改善HCI效应的半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121057280B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511598774.3，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权改善HCI效应的半导体结构及其制作方法是由桑华煜;程洋;汪华;代海坡;李玲设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善HCI效应的半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种改善HCI效应的半导体结构及其制作方法，该方法包括：提供基底，包括依次叠置的半导体衬底、衬底氧化层和硬掩膜层；半导体衬底中形成有与栅极位置相对应的浅沟槽；刻蚀去除衬底氧化层靠近浅沟槽一侧的端部，刻蚀后衬底氧化层靠近浅沟槽一侧的侧面内缩形成凹坑，凹坑开口与硬掩膜层表面相交；填充浅沟槽得到隔离层，衬底氧化层和隔离层于凹坑位置合围形成孔洞；去除硬掩膜层，在孔洞与硬掩膜层相交位置形成缺口，通过缺口使得孔洞与外部环境连通；在衬底氧化层表面沉积形成栅极材料层，沉积时栅极材料沿缺口进入孔洞，填充形成控制栅极体。其制备流程简单，能够改善器件的热载流子效应，延长器件寿命。

本发明授权改善HCI效应的半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种改善HCI效应的半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括依次叠置的半导体衬底1、衬底氧化层2和硬掩膜层3；所述半导体衬底1中形成有浅沟槽4，所述浅沟槽4与栅极12位置相对应，且所述浅沟槽4隔离出位于所述半导体衬底1中的有源区，所述有源区上的硬掩膜层3的线宽小于所述有源区的线宽，以暴露出衬底氧化层2靠近浅沟槽4一侧的端部； 刻蚀去除衬底氧化层2靠近浅沟槽4一侧的端部，刻蚀后衬底氧化层2靠近浅沟槽4一侧的侧面内缩形成凹坑5，所述凹坑5开口与硬掩膜层3表面相交； 填充所述浅沟槽4得到隔离层7，所述衬底氧化层2和所述隔离层7于所述凹坑位置合围形成孔洞8；去除所述硬掩膜层3，在所述孔洞8与所述硬掩膜层3相交位置形成缺口，通过所述缺口使得所述孔洞8与外部环境连通； 在所述衬底氧化层2表面沉积形成栅极材料层9，沉积时栅极材料沿所述缺口进入所述孔洞8，填充形成控制栅极体10。

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