合肥晶合集成电路股份有限公司周宇芬获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利多晶圆堆叠结构的处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121054478B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511599123.6，技术领域涉及：H10P52/00；该发明授权多晶圆堆叠结构的处理方法是由周宇芬;郝小强;郑悦设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本多晶圆堆叠结构的处理方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种多晶圆堆叠结构的处理方法，涉及半导体技术领域，包括：将第一晶圆键合在第二晶圆上以形成堆叠结构；将第一晶圆中的外延层减薄至第一预设厚度；对堆叠结构进行修边，使得堆叠结构的侧壁暴露出至少部分内部结构；在堆叠结构上形成包裹层，包裹层覆盖减薄后的外延层的表面，且包裹层覆盖堆叠结构的侧壁，以包覆侧壁上暴露的结构；以及采用研磨工艺去除外延层的表面上的包裹层。该方法增大了包裹层对裸露金属层覆盖的稳定性，改善了金属裸露和污染的问题。
本发明授权多晶圆堆叠结构的处理方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶圆堆叠结构的处理方法，其特征在于，包括： 将第一晶圆键合在第二晶圆上以形成堆叠结构； 将所述第一晶圆中的外延层减薄至第一预设厚度； 对所述堆叠结构进行修边，使得所述堆叠结构的侧壁暴露出至少部分内部结构； 在所述堆叠结构上形成包裹层，所述包裹层覆盖减薄后的所述外延层的表面，且所述包裹层覆盖所述堆叠结构的侧壁，以包覆所述侧壁上暴露的结构；以及 采用研磨工艺去除所述外延层的表面上的所述包裹层， 其中，所述采用研磨工艺去除所述外延层的表面上的所述包裹层的步骤包括： 自所述包裹层的上表面朝向所述外延层的方向，将所述包裹层减薄至第二预设厚度，以使所述包裹层在所述侧壁上的覆盖部分得以保留；以及 采用多次研磨工艺去除残留在所述外延层的表面上的所述包裹层，以重新暴露所述外延层的表面， 其中，在去除残留的所述包裹层的步骤中，所述多次研磨工艺的研磨液和或研磨垫和或研磨压力参数不同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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