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龙图腾网获悉苏州凌存科技有限公司申请的专利一种可变电阻存储器和可变电阻存储器的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121054061B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511603730.5，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权一种可变电阻存储器和可变电阻存储器的控制方法是由李岳升;杨垒强设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可变电阻存储器和可变电阻存储器的控制方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种可变电阻存储器和可变电阻存储器的控制方法。本申请提供的可变电阻存储器，包括：存储器单元阵列、控制器、写入电路和读取电路；写入电路，用于在控制器的控制下向存储器单元阵列提供偏置电压；控制器，用于在第一步读取过程中控制写入电路向存储器单元阵列提供第一组偏置电压，并在第二步读取过程中控制写入电路向存储器单元阵列提供第二组偏置电压；读取电路，用于针对每个目标存储器单元，根据该目标存储器单元在第一步读取过程中的第一读取信号和该目标存储器单元在第二步读取过程中的第二读取信号做减法运算，得到目标存储器单元的阻值，这样，可以有效抵消未选中存储器单元的漏电流干扰，准确的提取目标存储器单元的阻值。

本发明授权一种可变电阻存储器和可变电阻存储器的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种可变电阻存储器，其特征在于，所述可变电阻存储器包括存储器单元阵列、控制器、写入电路和读取电路； 所述写入电路，用于在所述控制器的控制下向所述存储器单元阵列提供偏置电压； 所述控制器，用于在第一步读取过程中控制写入电路向存储器单元阵列提供第一组偏置电压，并在第二步读取过程中控制写入电路向存储器单元阵列提供第二组偏置电压；其中，在每一步读取过程中，提供给选中的目标存储器单元的位线偏置电压为第一指定值、字线偏置电压为第二指定值；提供给未选中的其他存储器单元的位线偏置电压为第三指定值、字线偏置电压为第四指定值；所述第一指定值和所述第二指定值不同，所述第一指定值和所述第三指定值位于所述第二指定值的同一侧；所述第一指定值、所述第三指定值和所述第四指定值在第一步读取过程和第二步读取过程中的取值保持不变，所述第二指定值在第一步读取过程和第二步读取过程中的取值不同； 所述读取电路，用于针对每个目标存储器单元，根据该目标存储器单元在第一步读取过程中的第一读取信号和该目标存储器单元在第二步读取过程中的第二读取信号做减法运算，得到该目标存储器单元的阻值；所述读取电路包括第一嵌位电路和第一电流记忆电路；所述第一嵌位电路包括第一MOS管，所述第一MOS管的栅极接嵌位电压源，所述第一MOS管的源极与目标存储器单元所在的字线连接，所述第一MOS管的漏极与所述第一电流记忆电路的输入端连接；所述第一电流记忆电路包括第二MOS管、第一电容和第一开关管；所述第二MOS管的源极构成所述电流记忆电路的输入端，所述第二MOS管的漏极与预设第一电压源连接，所述第二MOS管的栅极与所述第一开关管的第一端连接；所述第一电容的第一端与预设第二电压源连接，所述第一电容的第二端与所述第一开关管的第一端连接，所述第一开关管的第二端与第二MOS的源极相连后构成所述读取电路的输出端； 所述读取电路包括第二嵌位电路、电流镜电路和第二电流记忆电路；所述第二嵌位电路包括第三MOS管，所述第三MOS管的栅极与嵌位电压源连接，所述第三MOS管的源极与目标存储器单元的字线连接，所述第三MOS管的漏极与所述电流镜电路的输入端连接；所述电流镜电路的输入端与所述第二电流记忆电路的输入端连接；所述第二电流记忆电路包括第四MOS管、第二电容和第二开关管；所述第二开关管的第一端和所述第四MOS管的漏极相连后构成所述第二电流记忆电路的输入端；所述第二开关管的第二端分别与所述第二电容的第一端、以及所述第四MOS管的栅极连接，所述第二电容的第二端接地；所述第四MOS管的源极接地，所述第四MOS管的漏极构成所述读取电路的输出端。

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