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浙江沃乐科技股份有限公司陆慧锋获国家专利权

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龙图腾网获悉浙江沃乐科技股份有限公司申请的专利一种多层核壳结构的硅碳负极材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121044622B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511593610.1,技术领域涉及:H01M4/36;该发明授权一种多层核壳结构的硅碳负极材料及其制备方法和应用是由陆慧锋;俞言文;徐平;康婷婷;戴佳亮设计研发完成,并于2025-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

一种多层核壳结构的硅碳负极材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明属于锂离子电池负极材料技术领域,具体公开了一种多层核壳结构的硅碳负极材料及其制备方法和应用,其制备方法包括:将硅颗粒分散于Tris缓冲液中,加入盐酸多巴胺,在室温下反应,经过滤、干燥,得到中间体;将中间体分散在溶剂B中,得到悬浮液;在溶剂C中依次加入络合剂、掺杂剂并混匀后,滴加钛源并进行反应,得到前驱液;将前驱液滴加至悬浮液中,并经水浴反应,再经离心、洗涤、烘干,得到复合材料;将复合材料与碳源溶液进行混合并混匀,经喷雾干燥得到碳包覆颗粒前驱体,再经碳化处理,得到多层核壳结构的硅碳负极材料。本发明的材料具有多级缓冲功能、双储锂能力和连续导电网络的优点,能显著提升硅体积效应与循环寿命。

本发明授权一种多层核壳结构的硅碳负极材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种多层核壳结构的硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S1.将粗硅粉经煅烧、酸浸除杂、真空干燥后,加入溶剂A并经超声波分散处理,再经球磨、抽滤、干燥,得到纳米级活性硅颗粒; S2.将所述纳米级活性硅颗粒分散于Tris缓冲液中,加入盐酸多巴胺,在室温下反应形成包覆层,过滤、干燥后,得到Si@PDA中间体; S3.将所述Si@PDA中间体均匀分散在溶剂B中,得到均匀悬浮液;在溶剂C中依次加入络合剂、掺杂剂并混匀后,滴加钛源并进行反应,得到均匀前驱液;在搅拌的情况下,将所述均匀前驱液缓慢滴加至所述均匀悬浮液中,并经水浴加热搅拌反应,再经离心、洗涤、烘干,得到Si@PDA@TiO2复合材料; S4.将所述Si@PDA@TiO2复合材料与碳源溶液进行混合并混匀,经喷雾干燥得到碳源均匀包覆的颗粒前驱体,再将其于真空或惰性气氛中碳化处理,得到Si@C@TiO2@C多层核壳结构的硅碳负极材料。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浙江沃乐科技股份有限公司,其通讯地址为:311121 浙江省杭州市余杭区仓前街道仓兴街397号18幢5层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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