合肥晶合集成电路股份有限公司刘继飞获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利图像传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511543576.7，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权图像传感器及其制作方法是由刘继飞;谢荣源;马忠祥;都智设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域。该图像传感器包括：衬底；光电二极管结构，多个所述光电二极管结构设置于所述衬底；第一隔离结构，设置于所述光电二极管结构之间；第二隔离结构，包括开设于所述第一隔离结构的深沟槽，以及设置于所述深沟槽的应变材料层；所述应变材料层至少填充所述深沟槽的顶部，所述应变材料层的延展性高于所述衬底的延展性；应力结构层，设置于所述衬底远离应变材料层的底部一侧；所述应力结构层用于产生压应力与所述第二隔离结构配合，使所述衬底的边缘向上翘曲，形成受光面内凹的曲面结构。由于该图像传感器为曲面结构，因而该图像传感器的成像质量会更优。
本发明授权图像传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括： 衬底； 光电二极管结构，多个所述光电二极管结构设置于所述衬底； 第一隔离结构，设置于所述光电二极管结构之间； 第二隔离结构，包括开设于所述第一隔离结构的深沟槽，以及设置于所述深沟槽的应变材料层；所述应变材料层至少填充所述深沟槽的顶部，所述应变材料层的延展性高于所述衬底的延展性； 应力结构层，设置于所述衬底远离应变材料层的底部一侧；所述应力结构层的用于产生压应力与所述第二隔离结构配合，使所述衬底的边缘向上翘曲，形成受光面内凹的曲面结构。
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