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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有发散角调制层的氮化镓基半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121035773B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511575034.8，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种具有发散角调制层的氮化镓基半导体激光器是由阚宏柱;郑锦坚;陈婉君;钟志白;邓和清;寻飞林;蔡鑫;刘紫涵;杨力勋;蓝家彬;胡志勇;李晓琴;张会康;张江勇设计研发完成，并于2025-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有发散角调制层的氮化镓基半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明提出了一种具有发散角调制层的氮化镓基半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层和接触层，所述下限制层包括从下至上依次设置的第一下限制层、第二下限制层和第三下限制层，所述衬底与第一下限制层之间设置有第一发散角调制层，所述第二下限制层与第三下限制层之间设置有第二发散角调制层。所述第一发散角调制层和第二发散角调制层的SIMS测试的归一化Al原子浓度曲线均满足Lorentz函数分布，从而在第一发散角调制层和第二发散角调制层中间形成载流子横向扩展区，增强载流子的横向扩展和迁移率，增加激光器的水平发散角方向的有源层复合宽度，进而扩大水平发散角。

本发明授权一种具有发散角调制层的氮化镓基半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种具有发散角调制层的氮化镓基半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层和接触层，其特征在于，所述下限制层包括从下至上依次设置的第一下限制层、第二下限制层和第三下限制层，所述衬底与第一下限制层之间设置有第一发散角调制层，所述第二下限制层与第三下限制层之间设置有第二发散角调制层； 所述第一发散角调制层和第二发散角调制层的SIMS测试的归一化Al原子浓度曲线均满足Lorentz函数分布y=y0+2Aπ×w4×x-xc2+w2，其中，x为SIMS测试的外延层厚度，零点为外延层表面，y为SIMS测试的归一化Al原子浓度，y0为基线偏移，xc为峰中心位置，w为半高全宽，A为峰面积； 所述第一发散角调制层的SIMS测试的归一化Al原子浓度曲线函数中：-0.08≤y0≤-0.02,2≤xc≤6,0.005≤w≤0.5,0.002≤A≤1； 所述第二发散角调制层的SIMS测试的归一化Al原子浓度曲线函数中：-0.08≤y0≤-0.02,1≤xc≤5,0.005≤w≤0.5,0.005≤A≤0.5。

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