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龙图腾网获悉昆明滇铂汇通科技有限责任公司;云南贵拓新材料科技有限公司申请的专利低电阻的聚合物型导电银浆组合物及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121034707B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511566894.5，技术领域涉及：H01B1/22；该发明授权低电阻的聚合物型导电银浆组合物及其制备方法是由苏林;王璇;刘晓梅;牛则鑫;杨宗尧;周金辉设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本低电阻的聚合物型导电银浆组合物及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及导电银浆技术领域，且公开了低电阻的聚合物型导电银浆组合物及其制备方法，包括以下质量份原料：聚合物树脂40‑50份、纳米银粉10‑15份、复合银纳米线3‑5份、复合层状材料5‑8份、芳香族多异氰酸酯3‑5份、柠檬酸丁酯2‑4份、乙二醇6‑10份。复合银纳米线与银浆组合物基材的接触面积较大，使得改性银纳米线均匀分散在银浆组合物中，提高导电性能和体系稳定性；复合层状材料对氧、水分子具有较高的阻隔性能，进一步抑制银浆组合物的氧化，提高银浆组合物的导电性能和体系稳定性。

本发明授权低电阻的聚合物型导电银浆组合物及其制备方法在权利要求书中公布了：1.低电阻的聚合物型导电银浆组合物，其特征在于，包括以下质量份原料：聚合物树脂40-50份、纳米银粉10-15份、复合银纳米线3-5份、复合层状材料5-8份、芳香族多异氰酸酯3-5份、柠檬酸丁酯2-4份、乙二醇6-10份； 其中，复合银纳米线通过在单宁酸修饰的银纳米线表面原位合成纳米铜后，再与稻壳粉混合反应而得； 复合层状材料由片状氧化铝插层氧化石墨烯纳米片而得； 所述复合银纳米线具体由以下步骤制得： A1.将单宁酸加入到乙醇中，搅拌至完全溶解，加入银纳米线，搅拌均匀，离心收集沉淀，沉淀洗涤，干燥，得到单宁酸修饰的银纳米线； A2.将氯化铜加入到去离子水中，搅拌均匀，加入单宁酸修饰的银纳米线，搅拌，加入葡萄糖，搅拌反应完毕后，冷却至室温，经过滤，洗涤，干燥，得到负载纳米铜的银纳米线； A3.将负载纳米铜的银纳米线、稻壳粉和柠檬酸加入到乙醇中，搅拌均匀，加入盐酸，搅拌反应完毕后，经过滤，洗涤，干燥，置于管式炉中，加入氢氧化钾溶液，通入氮气，在700-750℃下碳化4-5h，冷却至室温，取出，洗涤，干燥，得到复合银纳米线。

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