买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉南京大学申请的专利基于光学成像的本征固态离子迁移率测试方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121027277B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511555374.4，技术领域涉及：G01N27/622；该发明授权基于光学成像的本征固态离子迁移率测试方法及装置是由王伟;邹玉玲;卢裕杨;李浩冉设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于光学成像的本征固态离子迁移率测试方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提出了一种基于光学成像的本征固态离子迁移率测试方法及装置，涉及固态离子电解质材料的性能测试技术领域，该方法包括：组装测试样品池；对所述测试样品池进行加电测试；从所述光学图像中提取待测固态电解质粉末颗粒的尺寸信息；从所述光学图像中提取待测固态电解质粉末颗粒的光学强度随时间变化的曲线，基于该曲线确定颗粒在电压变化过程中光学响应从开始到平衡的时间信息；根据施加的电压大小与薄层绝缘基底的总厚度，确定测试条件下的电场强度；根据所述尺寸信息、时间信息及电场强度，确定所述待测固态电解质粉末颗粒的本征离子迁移率。

本发明授权基于光学成像的本征固态离子迁移率测试方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于光学成像的本征固态离子迁移率测试方法，其特征在于，该方法包括： 组装测试样品池；其中，将待测固态电解质粉末颗粒经过修饰固定在第一薄层绝缘基底的绝缘侧表面，且所述待测固态电解质粉末颗粒不与所述第一薄层绝缘基底上的导电镀层接触；将第二薄层绝缘基底覆盖在修饰有待测固态电解质粉末颗粒的第一薄层绝缘基底上，形成三层结构，两个薄层绝缘基底的导电镀层分别位于所述三层结构的外侧；所述测试样品池至少包括横向电场架构模式、纵向电场架构模式； 对所述测试样品池进行加电测试；其中，将封装后的测试样品池置于光学成像装置的观测范围内；向所述测试样品池的两侧薄层绝缘基底的导电镀层施加电压，进行周期性电学激励，通过所述光学成像装置实时采集待测固态电解质粉末颗粒的光学图像； 从所述光学图像中提取待测固态电解质粉末颗粒的尺寸信息； 从所述光学图像中提取待测固态电解质粉末颗粒的光学强度随时间变化的曲线，基于该曲线确定颗粒在电压变化过程中光学响应从开始到平衡的时间信息； 根据施加的电压大小与薄层绝缘基底的总厚度，确定测试条件下的电场强度； 根据所述尺寸信息、时间信息及电场强度，确定所述待测固态电解质粉末颗粒的本征离子迁移率； 其中，本征离子迁移率的计算关系式为： 式中，μ表示本征离子迁移率；r表示尺寸信息；τ表示时间信息；E表示电场强度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京大学，其通讯地址为：210023 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。