荣芯半导体(宁波)有限公司雷天飞获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121013366B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511537378.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制作方法是由雷天飞;秦仁刚设计研发完成，并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件中，位于在基底中的隔离结构包括第一隔离结构以及与第一隔离结构连接的多个第二隔离结构，多个第二隔离结构位于第一隔离结构的同一侧且在第一方向上延伸到基底中；栅极结构位于第二隔离结构远离所述第一隔离结构的一侧的基底上方，且在第一方向上延伸覆盖多个第二隔离结构以及覆盖部分第一隔离结构；源极区位于栅极结构远离隔离结构一侧的基底中；漏极区位于隔离结构远离栅极结构一侧的基底中。这样降低隔离结构的边缘电场，改善半导体器件热载流子注入失效的问题。本发明提供的半导体器件的制作方法可以用于制作上述的半导体器件。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 基底； 隔离结构，位于所述基底中，包括第一隔离结构以及与所述第一隔离结构连接的多个第二隔离结构，多个所述第二隔离结构位于所述第一隔离结构的同一侧且在第一方向上延伸到所述基底中； 栅极结构，位于所述第二隔离结构远离所述第一隔离结构的一侧的所述基底上方，且在所述第一方向上延伸覆盖多个所述第二隔离结构以及覆盖部分所述第一隔离结构；所述栅极结构包括第一栅极以及与所述第一栅极连接的多个第二栅极；所述第一栅极位于所述第二隔离结构远离所述第一隔离结构的一侧的基底上方，且在所述第一方向上延伸覆盖多个所述第二隔离结构；所述第二栅极从所述第一栅极靠近所述第一隔离结构的边缘沿所述第一方向向外延伸；多个所述第二隔离结构和多个所述第二栅极在第二方向上交替排布，所述第一方向和所述第二方向相交； 源极区，位于所述栅极结构远离所述隔离结构一侧的基底中；以及 漏极区，位于所述隔离结构远离所述栅极结构一侧的基底中。
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