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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121013364B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511517418.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制作方法是由孙冰朔;方欣欣;张思雨设计研发完成，并于2025-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件的制作方法包括：提供包括有源区以及隔离结构的半导体基底；对半导体基底进行阱区注入，在有源区中形成阱区；在半导体基底上生成栅极材料层；在栅极材料层上生成图形化的第二掩膜层；对图形化的第二掩膜层进行修整，暴露有源区的临近隔离结构的边缘区域；在图形化的第二掩膜层的掩蔽下，形成补充掺杂区；对栅极材料层进行图形化处理形成栅电极，栅电极在第一方向上延伸且覆盖部分补充掺杂区；其中，补充掺杂区的导电类型与临近补充掺杂区且位于栅电极下方的阱区的导电类型相同，这样补充掺杂区可以改善半导体器件的双峰效应。该半导体器件利用上述的制作方法制成。

本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供半导体基底，所述半导体基底包括隔离结构以及由所述隔离结构限定出的有源区； 对所述半导体基底进行阱区注入，在所述有源区中形成阱区； 在所述半导体基底上生成栅极材料层，所述栅极材料层覆盖所述半导体基底； 在所述栅极材料层上生成图形化的第二掩膜层，所述图形化的第二掩膜层覆盖所述有源区且未覆盖所述隔离结构； 对所述图形化的第二掩膜层进行修整，暴露所述有源区的临近所述隔离结构的边缘区域； 在所述图形化的第二掩膜层的掩蔽下，通过离子注入工艺在所述有源区的所述边缘区域的顶部形成补充掺杂区，同时调整所述补充掺杂区上方的栅极材料层的功函数； 对所述栅极材料层进行图形化处理形成栅电极，所述栅电极在第一方向上延伸且覆盖部分所述补充掺杂区；以及 在所述栅电极的第二方向两侧的所述有源区中形成源漏区； 其中，所述补充掺杂区的导电类型与临近所述补充掺杂区且位于所述栅电极下方的所述阱区的导电类型相同。

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