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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种二硒化铂及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121006613B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511535388.X，技术领域涉及：C30B29/46；该发明授权一种二硒化铂及其制备方法和应用是由刘冰;刘超晖;马四光设计研发完成，并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二硒化铂及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于二维薄膜材料生长制备技术领域，公开了一种二硒化铂及其制备方法和应用，该二硒化铂的形貌为四方单晶、具有枝晶特征的纳米结构、薄片或连续薄膜。本发明在形貌与产物形态创新上，不仅制备出形貌为四方单晶的二硒化铂，为充分发挥其潜在的不同光电器件应用创造了有利条件，还可通过简易的参数调节，实现四方单晶、具有枝晶特性的纳米结构、薄片、连续薄膜形貌可控制备。在工艺兼容性方面，凭借低温制备工艺，既有效规避了传统高温方法的温度限制，又突破了传统低温方法中晶畴尺寸的局限，能够获得满足实际应用需求的晶体横向尺寸，为与现有工艺的适配提供了关键保障。

本发明授权一种二硒化铂及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种二硒化铂的制备方法，其特征在于，所述二硒化铂的形貌为四方单晶或具有枝晶特征的纳米结构；所述四方单晶为二维多层的四边形；所述具有枝晶特征的纳米结构为二维多层的四叶花瓣状； 所述二硒化铂的制备方法包括以下步骤： 将铂基前驱体加入盐酸溶液中，得到混合溶液； 在生长基底表面旋涂所述混合溶液，然后进行退火处理，得到前驱体晶种，通过载气使硒蒸汽扩散至与所述前驱体晶种反应，得到所述二硒化铂； 所述退火处理的温度为120℃-150℃，所述退火处理的时间为30min-60min； 所述载气为氩气与氢气的混合气体； 当所述二硒化铂的形貌为所述四方单晶时，所述旋涂的速度为3000rpm-6000rpm，所述氩气的流量为90sccm，所述氢气的流量为10sccm； 当所述二硒化铂的形貌为所述具有枝晶特征的纳米结构时，所述旋涂的速度为3000rpm-6000rpm，所述氩气的流量为180sccm，所述氢气的流量为20sccm； 所述硒蒸汽与所述前驱体晶种的反应在第一装置中进行，所述第一装置包括第一温区和第二温区，所述第一温区与所述第二温区连通，所述硒蒸汽由硒粉受热挥发形成，所述硒粉置于所述第一温区，所述前驱体晶种置于所述第二温区，向所述第一温区通入所述载气使所述硒蒸汽扩散至所述第二温区与所述前驱体晶种反应。

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