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重庆新申世纪新材料科技有限公司;重庆新申新电子材料有限公司;重庆新申新材料股份有限公司;重庆新申世纪电子材料有限公司钟澄获国家专利权

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龙图腾网获悉重庆新申世纪新材料科技有限公司;重庆新申新电子材料有限公司;重庆新申新材料股份有限公司;重庆新申世纪电子材料有限公司申请的专利多层陶瓷电容器、制备用于多层陶瓷电容器的高性能纳米钛酸钡粉体的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121005566B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511537695.1,技术领域涉及:C04B35/468;该发明授权多层陶瓷电容器、制备用于多层陶瓷电容器的高性能纳米钛酸钡粉体的方法是由钟澄;申静;王强;刘斌设计研发完成,并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

多层陶瓷电容器、制备用于多层陶瓷电容器的高性能纳米钛酸钡粉体的方法在说明书摘要公布了:本发明涉及介电陶瓷粉体制备工艺技术领域,尤其涉及多层陶瓷电容器及制备用于多层陶瓷电容器的高性能纳米钛酸钡粉体的方法,所述方法包括以下步骤:按照化学计量比将高纯度氢氧化钛前驱体与固态钡源在深冷介质存在下进行低温冷冻研磨,从而形成具有高反应活性的非晶态复合前驱体,最后经水热合成反应,生成纳米钛酸钡粉体。本申请通过“低温冷冻研磨”使得氢氧化钛前驱体与固态钡源在固态下强制混合,从而在物理上保证了BaTi比在每个微区都高度一致,从源头解决了化学计量比失控的问题。同时,前驱体的高度活化使得水热反应时间缩短,大幅降低了煅烧温度,有效抑制了晶粒的异常长大,使得产品粒径分布更窄,性能更优。

本发明授权多层陶瓷电容器、制备用于多层陶瓷电容器的高性能纳米钛酸钡粉体的方法在权利要求书中公布了:1.一种制备用于多层陶瓷电容器的高性能纳米钛酸钡粉体的方法,其特征在于,包括以下步骤: a将氢氧化钛在膜过滤条件下通过纯水进行多级逆流洗涤,直至滤出液的电导率低于1000μScm,得到高纯度氢氧化钛前驱体; b按照钡原子与钛原子的摩尔比为1.000将所述高纯度氢氧化钛前驱体与固态钡源在深冷介质存在下在-100℃至-196℃的环境下进行低温冷冻研磨,强制物料在纳米尺度上实现镶嵌式混合,从而形成具有高反应活性的非晶态复合前驱体; c将步骤b得到的非晶态复合前驱体进行水热合成反应,生成纳米钛酸钡粉体。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人重庆新申世纪新材料科技有限公司;重庆新申新电子材料有限公司;重庆新申新材料股份有限公司;重庆新申世纪电子材料有限公司,其通讯地址为:400000 重庆市铜梁区旧县街道永兴村二社;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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