大连理工大学闫硕轩获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种基于静电纺丝的可剥离柔性Ga(3x+2y)/3NxOy薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121001386B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511479577.X，技术领域涉及：H10D62/80；该发明授权一种基于静电纺丝的可剥离柔性Ga(3x+2y)/3NxOy薄膜及其制备方法是由闫硕轩;秦福文;马春雨设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于静电纺丝的可剥离柔性Ga(3x+2y)/3NxOy薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体薄膜材料与器件制备技术领域，涉及一种基于静电纺丝的可剥离柔性Ga3x+2y33x+2y3NxxOyy薄膜及其制备方法。该方法以金属为基片，在金属基片的一侧表面上依次制备扩散阻挡层、Ga22O33静电纺丝层、富Ga层、液态Ga层、Ga3m+2n33m+2n3NmmOnn缓冲层和Ga3x+2y33x+2y3NxxOyy生长层。其中，扩散阻挡层采用磁控溅射方法制备，Ga22O33静电纺丝层静电纺丝方法结合烧结方法制备，液态Ga层通过旋涂方法制备，其余各层采用ECR‑PEMOCVD方法制备。该方法可实现高质量Ga3x+2y33x+2y3NxxOyy薄膜的生长，所得薄膜具备柔性和可转移特性，适用于柔性显示、光电子器件及传感器等领域。
本发明授权一种基于静电纺丝的可剥离柔性Ga(3x+2y)/3NxOy薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于静电纺丝的可剥离柔性Ga3x+2y3NxOy薄膜，其特征在于，所述的Ga3x+2y3NxOy薄膜采用金属材料作为基片，在金属基片的一侧表面上，从内到外依次为扩散阻挡层、Ga2O3静电纺丝层、富Ga层、液态Ga层、Ga3m+2n3NmOn缓冲层和Ga3x+2y3NxOy生长层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人大连理工大学，其通讯地址为：116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励