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龙图腾网获悉深圳市华普微电子股份有限公司;无锡泽太微电子有限公司申请的专利一种高线性度开关电路及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121000211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511534892.8，技术领域涉及：H03K17/14；该发明授权一种高线性度开关电路及其控制方法是由王江涛;董桥;武怡康设计研发完成，并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高线性度开关电路及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明属于模拟集成电路技术领域，本发明公开了一种高线性度开关电路及其控制方法，该电路包括增压电路、电池电压监测模块、比较器、控制模块和交叉耦合电路，通过监测电源电压，并在电压低于预设值时启动电荷泵增压，为开关管提供稳定的栅极控制电压，确保其在深线性区工作的线性度；采用间歇式监测与快速输出电压建立机制，显著降低系统功耗，延长电池寿命，适用于长期工作的测量系统如传感器、流量计等。本发明具有线性度高、功耗低、响应速度快等优点。

本发明授权一种高线性度开关电路及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种高线性度开关电路，其特征在于，该电路包括如下部分： 增压电路，用于在电源电压低于预设值时提升输出电压； 电池电压监测模块，用于监测电源电压并输出监测电压； 比较器，用于将所述监测电压与参考电压进行比较，输出比较结果； 控制模块，根据所述比较结果生成控制信号和时钟信号； 交叉耦合电路，用于快速建立输出电压，并根据所述控制信号选择输出电源电压或增压电路输出电压； 所述交叉耦合电路包括第一PMOS管P3、第二PMOS管P4、第三PMOS管P5、第一NMOS管N3和第二NMOS管N4，用于在控制信号作用下快速建立输出电压； 所述交叉耦合电路是在第一PMOS管P3和第二PMOS管P4组成的电路基础上，加入受控制模块控制的第三PMOS管P5、第一NMOS管N3和第二NMOS管N4，当控制模块选择电源电压VDD2输出时，控制模块将EN置为低电平，ENB为高电平,从而第二NMOS管N4关断，第三PMOS管P5导通，第二PMOS管P4栅极节点Pa通过第一NMOS管N3拉到低电平，使得第二PMOS管P4一直处于导通状态，加速输出电压建立；反之，当控制模块选择增压电路输出时，EN置为高电平VDD2，ENB为低电平,从而第三PMOS管P5关断，第二NMOS管N4导通，第一PMOS管P3栅极节点Pb通过第二NMOS管N4拉到低电平，使得第一PMOS管P3一直处于导通状态，加速输出电压建立。

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