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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利集成电路光刻热点的检测方法、存储介质和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120997871B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511510138.0，技术领域涉及：G06V30/422；该发明授权集成电路光刻热点的检测方法、存储介质和设备是由朱明;吴波;李志刚;彭春雨;吴秀龙设计研发完成，并于2025-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路光刻热点的检测方法、存储介质和设备在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种集成电路光刻热点的检测方法、存储介质和设备。该方法包括构建一个用于识别输入的版图是否包含光刻热点的版图分类模型；该版图分类模型依次包括一个前特征提取模块、多个后特征提取模块、特征融合模块和全连接层。前特征提取模块由普通卷积、解组卷积，交互卷积和注意力层构成。后特征提取模块由增强交互层和注意力层构成。对热点版图进行数据增强并对非热点版图进行抽样构成平衡数据集。采用引入标签平滑的BCE损失作为损失函数对版图分类模型进行训练。将原始版图的切片图像输入到训练后的版图分类模型中以实现光刻热点检测。本发明解决了现有方案存在的检测精度和误报率不平衡的问题。

本发明授权集成电路光刻热点的检测方法、存储介质和设备在权利要求书中公布了：1.一种集成电路光刻热点的检测方法，其特征在于，其包括： 构建一个用于识别输入的版图是否包含光刻热点的版图分类模型；所述版图分类模型依次包括一个前特征提取模块、多个后特征提取模块、特征融合模块和全连接层； 前特征提取模块由1个7×7卷积、1个解组卷积，1个交互卷积和1个注意力层构成；后特征提取模块由1个增强交互层和1个注意力层构成；解组卷积用于将输入特征按预设的通道比例划分为高频通道和低频通道；低频通道的特征信息经最大池化和卷积处理得到低频特征FL；高频通道的特征信息经卷积处理得到高频特征FH；在交互卷积中，输入的FL经卷积和上采样处理后与经卷积处理的FH特征拼接得到新的高频特征；输入的FH经卷积和池化处理后与经卷积处理的FL特征拼接得到新的低频特征；增强交互层由引入残差连接的不同卷积核的多个交互卷积构成；注意力层对输入的高频特征和低频特征分别计算注意力并加权以实现特征增强；特征融合模块对输入到高频特征和低频特征进行特征融合得到融合特征；全连接层根据输入的融合特征生成分类结果； 获取包含带标签的热点版图和非热点版图，构成原始数据集；对热点版图进行数据增强并对非热点版图进行抽样构成平衡数据集；采用引入标签平滑的BCE损失作为损失函数；并利用平衡数据集对版图分类模型进行训练；保留满足性能指标的模型参数； 将原始版图的切片图像输入到训练后的版图分类模型中以实现光刻热点检测； 其中，所述增强交互层由2个卷积核为3×3的第一交互卷积和1个卷积核为1×1的第二交互卷积构成；增强交互层中包含两个分支；输入特征在其中一个分支中经第二交互卷积处理，并在另一个分支中依次经两个第一交互卷积处理；两个分支输出的特征按高频通道和低频通道分别进行残差连接后，作为增强交互层的输出； 所述前特征提取模块和后特征提取模块中的注意力层均采用引入了相对空间位置信息的前景注意力机制OutlookAttention；且所述注意力层分别对网络的前一层输入的高频特征和低频特征独立计算注意力并实现加权；进而在高频特征中部分聚焦局部区域内的特征影响，并在低频特征中引入更多的局部信息乃至全局信息。

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