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龙图腾网获悉天津万柔科技有限公司申请的专利晶圆探测器及其制备方法和晶圆检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120993162B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511516195.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权晶圆探测器及其制备方法和晶圆检测电路是由黄显;朱奎峰;班莹设计研发完成，并于2025-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆探测器及其制备方法和晶圆检测电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆探测器及其制备方法和晶圆检测电路，可以应用于晶圆检测技术领域。该晶圆探测器包括：基底；基底上沿第一方向排列的多对电极；基底上从多对电极中的每一电极分别引出的布线；多对电极中的每一电极上的纤毛结构，纤毛结构的表面上具有与相应的电极电连接的导电层，纤毛结构在从待探测MicroLED晶圆中的待探测电极的侧向，且沿第二方向扫过待探测电极时，纤毛结构具有的刚度使得纤毛结构通过形变而与待探测电极保持电接触。在利用晶圆探测器检测待探测MicroLED晶圆时，无需反复下压和抬起，只需要在初始位置进行一次对准，便可以通过水平移动，对待探测MicroLED晶圆进行高速测量。

本发明授权晶圆探测器及其制备方法和晶圆检测电路在权利要求书中公布了：1.一种晶圆探测器，其特征在于，包括： 基底； 所述基底上沿第一方向排列的多对电极； 所述基底上从所述多对电极中的每一电极分别引出的布线； 所述多对电极中的每一电极上的纤毛结构，所述纤毛结构的表面上具有与相应的电极电连接的导电层， 其中，所述纤毛结构在从待探测MicroLED晶圆中的待探测电极的侧向，且沿与第一方向相交的第二方向扫过所述待探测电极时，所述纤毛结构具有的刚度使得所述纤毛结构通过形变而与所述待探测电极保持电接触； 所述纤毛结构包括：三维纤毛层、所述三维纤毛层上的应力调控层和所述应力调控层上的所述导电层；所述三维纤毛层的材料包括以下至少之一：硅胶与银纳米片的复合材料、硅胶与碳纳米管的复合材料、聚氨酯与银纳米片的复合材料、聚氨酯与碳纳米管的复合材料以及具有双光子吸收固化能力的硅胶；所述应力调控层的材料包括派瑞林聚合物；所述导电层的材料包括铬； 沿第一方向排列的多对电极上的纤毛结构的分布与所述待探测MicroLED晶圆中沿第一方向排列的多对待探测电极的分布相同，其中，所述待探测MicroLED晶圆中的多对待探测电极中每一对待探测电极分别是相应MicroLED的阳极和阴极。

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