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龙图腾网获悉常熟颢文电子科技有限公司申请的专利一种用于液晶显示屏的绝缘陶瓷垫片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120987665B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511518366.2，技术领域涉及：C04B35/80；该发明授权一种用于液晶显示屏的绝缘陶瓷垫片及其制备方法是由徐伟;李劲超;康云辉;谢敏设计研发完成，并于2025-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于液晶显示屏的绝缘陶瓷垫片及其制备方法在说明书摘要公布了：一种用于液晶显示屏的绝缘陶瓷垫片及其制备方法。垫片包括由主晶相、辅助相和增强相组成的陶瓷基体，具有梯度密度结构，介电常数低，介电损耗小，体积电阻率高。表面具有微纳米复合织构，赋予各向异性润湿特性；内部具有定向气孔结构；增强相呈三维网络分布，边缘密度高于中心；表面覆盖梯度功能涂层。制备方法包括高能球磨制备粉体、原位反应生成辅助相、多层叠压和磁场辅助成型、两步气氛烧结、激光微加工织构及涂层沉积。本发明提供优异电绝缘性、机械强度和耐久性，适于高精度液晶显示屏。

本发明授权一种用于液晶显示屏的绝缘陶瓷垫片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于液晶显示屏的绝缘陶瓷垫片，其特征在于，包括： 陶瓷基体，所述陶瓷基体由主晶相和辅助相组成，其中， 所述主晶相为β-Si3N4晶相，重量百分比为65-85%； 所述辅助相包括Y2Si2O7稀土硅酸盐相和Al2O3·Y2O3复合氧化物相，重量百分比分别为8-15%和5-12%； 所述陶瓷基体还包含质量分数为0.5-2%的纳米级SiC晶须作为增强相，所述SiC晶须长径比为10-50； 该陶瓷垫片通过步骤制备得到： 步骤1，将粉末、粉末、粉末、纳米粉末和SiC晶须按配比混合，采用高能球磨工艺处理，球磨介质为氮化硅球，转速400-600rpm，球磨时间12-20小时； 在步骤1中，采用原位反应法在球磨过程中同时进行化学反应，反应方程式为：+2→； 3+5→2； 所述反应在球磨过程中的机械化学作用下进行，形成稀土硅酸盐相和稀土铝酸盐相作为辅助相； 步骤2，将步骤1得到的复合粉体分为表层粉体和内层粉体两部分，其中表层粉体经预压处理提高初始密度，内层粉体保持松散状态，然后将所述表层粉体和所述内层粉体分层装入模具，表层粉体厚度0.5mm，内层粉体厚度1mm，成型压力100-300MPa，形成梯度密度坯体； 步骤3，在氮气保护气氛下，升温至1750-1850℃，保温4-8小时，升温速率2-4℃min，冷却过程中在1400-1500℃范围内控制冷却速率为0.5-2℃min；在步骤3的烧结过程中，采用两步烧结工艺， 步骤31：在1650-1750℃下保温2-4小时，形成主晶相； 步骤32：升温至1750-1850℃保温4-6小时，完成致密化并形成梯度密度结构； 步骤4，采用激光微加工技术在陶瓷表面制备微纳米复合织构； 通过多层叠压成型技术和烧结控温程序将所述陶瓷垫片制备成具有梯度密度结构，其中，表层密度为4.2-4.8gcm³，内层密度为3.8-4.2gcm³； 所述陶瓷垫片的介电常数在1MHz频率下为6.5-8.2，介电损耗角正切值小于0.0005，体积电阻率大于Ω·cm。

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