合肥晶合集成电路股份有限公司陶磊获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120980937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511492156.0，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种半导体结构的制造方法及半导体结构是由陶磊设计研发完成，并于2025-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，制造方法包括：提供多个伪栅结构，伪栅结构设置在基板上；形成第一氮化层于伪栅结构的顶面，形成氧化层于第一氮化层上，其中伪栅结构的宽度越大，伪栅结构上的氧化层的厚度越小；形成第二氮化层于氧化层、第一氮化层和伪栅结构的裸露表面上；形成介质层于第一氮化层上和基板上；去除伪栅结构上的介质层、第二氮化层和氧化层，直到第一氮化层和第二氮化层的表面齐平；以及去除第一氮化层和部分第二氮化层，使第二氮化层和伪栅结构的表面齐平。本发明提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，能够提升半导体结构制造的表面平整性，从而提升制造良率。
本发明授权一种半导体结构的制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供多个伪栅结构，所述伪栅结构设置在基板上； 形成第一氮化层于所述伪栅结构的顶面，形成氧化层于所述第一氮化层上，其中所述伪栅结构的宽度越大，所述伪栅结构上的所述氧化层的厚度越小； 形成第二氮化层于所述氧化层、所述第一氮化层和所述伪栅结构的裸露表面上； 形成介质层于所述第一氮化层上和所述基板上； 去除所述伪栅结构上的部分所述介质层和部分所述第二氮化层，以使所述氧化层暴露，然后采用抛光工艺去除剩余的部分所述介质层、部分所述第二氮化层和所述氧化层，直到所述第一氮化层和所述第二氮化层的表面齐平；以及 去除所述第一氮化层和部分所述第二氮化层，使所述第二氮化层和所述伪栅结构的表面齐平。
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