浙江创豪半导体有限公司蓝明辉获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创豪半导体有限公司申请的专利封装基板制作方法及封装基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120977874B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511481989.7，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权封装基板制作方法及封装基板是由蓝明辉;卢海林;王俊设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装基板制作方法及封装基板在说明书摘要公布了：本申请提供一种封装基板制作方法，属于封装基板技术领域，包括：提供一基板，所述基板上设有绝缘膜；在所述绝缘膜上预设多个腔体加工区域，其中每个所述腔体加工区域包括同轴设置的外圈区域和内圈区域；使用第一激光烧蚀工艺，逐个对所述外圈区域进行加工，直至所有的所述外圈区域完成烧蚀；使用第二激光烧蚀工艺，逐个对所述内圈区域进行加工，直至所有的所述内圈区域完成烧蚀。本申请的封装基板制作方法，能够抑制保护镜温度持续升高，减小保护镜上的挥发物质吸收大量的热量而灼伤保护镜的风险，改善腔体位置精度偏移和绝缘膜残留的问题。
本发明授权封装基板制作方法及封装基板在权利要求书中公布了：1.一种封装基板制作方法，其特征在于，包括： 提供一基板，所述基板上设有绝缘膜； 在所述绝缘膜上预设多个腔体加工区域，其中每个所述腔体加工区域包括同轴设置的外圈区域和内圈区域； 使用第一激光烧蚀工艺，沿预设的至少一个第一闭合几何轨迹逐个对所述外圈区域进行环绕烧蚀，直至所有的所述外圈区域完成烧蚀； 使用第二激光烧蚀工艺，沿预设的面扫描轨迹逐个对所述内圈区域进行环绕烧蚀，直至所有的所述内圈区域完成烧蚀； 其中，所述外圈区域环绕烧蚀后的底部与所述内圈区域环绕烧蚀后的底部处于同一平面，所述外圈区域环绕烧蚀的深度与所述内圈区域环绕烧蚀的深度相同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江创豪半导体有限公司，其通讯地址为：322009 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏华街553号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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