上海谙邦半导体设备有限公司桂智谦获国家专利权
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龙图腾网获悉上海谙邦半导体设备有限公司申请的专利一种等离子体刻蚀设备及观察窗口保护系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120954960B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511488372.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种等离子体刻蚀设备及观察窗口保护系统是由桂智谦;王兆祥;梁洁;涂乐义;仲凯;徐昕;方子豪设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子体刻蚀设备及观察窗口保护系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种等离子体刻蚀设备及观察窗口保护系统，属于半导体制造装备技术领域。该系统包括反应腔体、进气管路、光学观察窗口和匀气结构，通过创新性地采用匀气结构兼具匀流和射频抑制功能，在保证气流量功能下有效阻断等离子体进入管路内，以及通过将光学观察窗口设置于进气管路末端实现光气同路，从而直接利用工艺气体流经窗口内表面形成保护气幕，有效防止沉积物附着在窗口内表面。本发明从根本上保护观察窗口和上游光路组件，彻底解决了传统方案中因窗口污染导致的终点检测失真问题，而且在防止工艺副产物在光学观察窗口上沉积方面，无需引入外来吹扫气体，避免了工艺配方扰动，显著提高了终点检测准确性和设备利用率。
本发明授权一种等离子体刻蚀设备及观察窗口保护系统在权利要求书中公布了：1.一种用于等离子体刻蚀设备的观察窗口保护系统，其特征在于，包括： 反应腔体1，用于进行等离子体刻蚀工艺； L型的进气管路2，与所述反应腔体1相连，用于向所述反应腔体1输送反应气体； 光学观察窗口3，设置于L型的所述进气管路2的拐角处末端，用于接收来自所述反应腔体1的光信号，以使所述进气管路2与所述反应腔体1连接的一段内腔作为光气同路通道用于同时传输反应气体和来自反应腔体1的光信号； 匀气结构4，设于所述进气管路2与所述反应腔体1的连接处；所述匀气结构4被配置为：使从所述进气管路2进入的反应气体均匀分布，以及形成一射频限制屏障，用于抑制反应腔体1内的射频能量经由所述匀气结构4向进气管路2方向传导，以防止等离子体在进气管路2内。
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