上海大学董渊获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种钛酸钡薄膜结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120945485B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511468793.4，技术领域涉及：G02F1/035；该发明授权一种钛酸钡薄膜结构及其制备方法是由董渊;马如原;胡挺;钟其泽;邱阳;郑少南;赵兴岩设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钛酸钡薄膜结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及钙钛矿薄膜材料制备及结构设计技术领域，公开一种钛酸钡薄膜结构及其制备方法。其中，钛酸钡薄膜结构包括衬底、非晶埋氧层、氮化硅或硅芯层波导、结晶氧化镁缓冲层、结晶钛酸钡层。所述非晶埋氧层设置在衬底上，氮化硅或硅芯层波导位于埋氧层内，结晶缓冲层薄膜在非晶埋氧层上。其中缓冲层薄膜可以直接在非晶埋氧层如非晶二氧化硅上生长结晶，钛酸钡薄膜以缓冲层为生长模板进行生长结晶，以此钛酸钡的生长将不被特定材料或晶体结构的衬底所约束，这种自下而上的制备工艺简单，使用的制备手段成本低廉、适用于与大规模工业生产。
本发明授权一种钛酸钡薄膜结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钛酸钡薄膜结构，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底1、非晶埋氧层2、结晶缓冲层3以及结晶钛酸钡层4； 所述结晶缓冲层3能在非晶埋氧层2上直接生长结晶，所述结晶钛酸钡层4以结晶缓冲层3为生长模板进行生长结晶； 所述结晶缓冲层3设置为氧化镁薄膜； 还包括氮化硅或硅芯层波导5，所述氮化硅或硅芯层波导5位于非晶埋氧层2内部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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