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龙图腾网获悉润新微电子(大连)有限公司申请的专利一种共源共栅GaN器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120936088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511460325.2，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权一种共源共栅GaN器件及其制备方法是由华海鑫;田茂康;任永硕;王荣华;梁辉南设计研发完成，并于2025-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种共源共栅GaN器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体领域，公开了一种共源共栅GaN器件及其制备方法，共源共栅GaN器件包括引线框架基岛、MOS芯片和GaN芯片；引线框架基岛上设有作为GaN器件的源极的第一导电区；MOS芯片的源极设在背面、栅极和漏极设在其正面；MOS芯片背面的源极与第一导电区电连接；GaN芯片叠放在MOS芯片上：GaN芯片的源极、栅极和漏极设置在其正面，GaN芯片的背面也设有其源极，GaN芯片背面的源极与MOS芯片正面的漏极电连接；或MOS芯片正面也设有源极，GaN芯片正面设有漏极、背面设有源极和栅极，GaN芯片背面的源极、栅极与MOS芯片正面的漏极、源极对应地电连接。本发明能够减小GaN器件体积、降低其成本。

本发明授权一种共源共栅GaN器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种共源共栅GaN器件，其特征在于，包括引线框架基岛1、MOS芯片4和GaN芯片5； 所述引线框架基岛1上设置有第一导电区11，所述第一导电区11被配置为GaN器件的源极； 所述MOS芯片4的源极设置在其背面，所述MOS芯片4的栅极和漏极设置在其正面；所述MOS芯片4设置在所述第一导电区11，并且其背面的源极与所述第一导电区11电连接； 所述GaN芯片5叠放在所述MOS芯片4上，并且所述GaN芯片5通过以下方式与所述MOS芯片4电连接： 所述GaN芯片5的源极、栅极和漏极设置在其正面，并且所述GaN芯片5的背面设置有第二导电区51，所述第二导电区51与所述GaN芯片5正面的源极电连接，所述GaN芯片5背面的第二导电区51与所述MOS芯片4正面的漏极电连接； 或者， 所述MOS芯片4正面也设置有其源极，所述GaN芯片5的漏极设置在其正面，所述GaN芯片5的源极和栅极设置在其背面，所述GaN芯片5背面的源极与所述MOS芯片4正面的漏极电连接，并且所述GaN芯片5背面的栅极与所述MOS芯片4正面的源极电连接。

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