合肥晶合集成电路股份有限公司丁永强获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种薄膜电阻的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120936083B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511477860.9，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种薄膜电阻的制备方法是由丁永强;董宗谕设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜电阻的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种薄膜电阻的制备方法，包括以下步骤：在晶圆表面形成一薄膜电阻膜层，并检测所述薄膜电阻膜层的厚度；根据所述薄膜电阻膜层的厚度调整干法刻蚀工艺的刻蚀气体中各组分的含量比例；以及对所述薄膜电阻膜层执行干法刻蚀工艺，以暴露出所述晶圆表面，并获得薄膜电阻。本发明通过根据所述薄膜电阻膜层的厚度，及时调控干法刻蚀工艺中刻蚀气体中各组分的含量比例，以此得到各批次的晶圆上的薄膜电阻在垂直于长度方向的截面面积保持不变，从而使得所有批次晶圆上的薄膜电阻的阻值稳定，提高了薄膜电阻的器件稳定性，还提高了薄膜电阻膜层的沉积工艺的工艺窗口。
本发明授权一种薄膜电阻的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜电阻的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在晶圆表面形成一薄膜电阻膜层，并检测所述薄膜电阻膜层的厚度； 对同一批次的所有薄膜电阻膜层的厚度取厚度均值； 根据所述薄膜电阻的线宽调节干法刻蚀工艺的刻蚀气体中碳含量和氟含量的比值，其中，所述薄膜电阻的线宽b与干法刻蚀工艺的刻蚀气体中碳含量和氟含量的比值呈正比；以及 对所述薄膜电阻膜层执行干法刻蚀工艺，以暴露出所述晶圆表面，并获得薄膜电阻； 其中，若所述薄膜电阻膜层的厚度偏小，则通过增大所述碳含量和氟含量的比值来增大所述薄膜电阻的线宽；若所述薄膜电阻膜层的厚度偏大，则通过减小所述碳含量和氟含量的比值来减小所述薄膜电阻的线宽，从而使所述薄膜电阻的阻值稳定。
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