浙江创豪半导体有限公司蓝明辉获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创豪半导体有限公司申请的专利封装基板制作方法及封装基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120933167B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511466955.0，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权封装基板制作方法及封装基板是由蓝明辉;卢海林;方勇;严传照;陈永设计研发完成，并于2025-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装基板制作方法及封装基板在说明书摘要公布了：本申请提供一种封装基板制作方法及封装基板，属于封装基板技术领域，所述封装基板制作方法包括：提供一封装基板，在所述封装基板上压合绝缘层；对所述封装基板进行固化烘烤，使所述绝缘层固化；对所述封装基板进行退火烘烤，所述退火烘烤的温度低于所述绝缘层的玻璃化转变温度；对所述封装基板进行镭射钻孔；使用药水对所述封装基板进行处理，以去除所述镭射钻孔产生的胶渣。本申请通过对封装基板退火处理，释放绝缘层的内部应力，改善绝缘层开裂的缺陷，提高产品可靠性以及良率。
本发明授权封装基板制作方法及封装基板在权利要求书中公布了：1.一种封装基板制作方法，其特征在于，包括： 提供一封装基板，在所述封装基板上压膜覆盖绝缘层； 对所述封装基板进行固化烘烤，使所述绝缘层固化； 对所述封装基板进行退火烘烤，所述退火烘烤的温度低于所述绝缘层的玻璃化转变温度； 对所述封装基板进行镭射钻孔； 使用药水对所述封装基板进行处理，以去除所述镭射钻孔产生的胶渣； 对所述绝缘层进行固化烘烤处理步骤包括： 对所述绝缘层进行初次固化烘烤处理，固化烘烤温度范围为120℃-140℃，固化烘烤时间范围为25分钟-35分钟； 对所述绝缘层进行二次固化烘烤处理，二次固化烘烤温度范围为170℃-190℃，固化烘烤时间范围为25分钟-35分钟； 所述封装基板设计为每层的残铜率大于或等于60%；所述封装基板残铜覆盖整板区域且均匀分布。
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