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龙图腾网获悉西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种通过双栅铁电场效应晶体管实现多值寻址器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120916462B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511440626.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种通过双栅铁电场效应晶体管实现多值寻址器的方法是由张洪瑞;陈佳佳;刘文浩;丁一洝;刘艳;韩根全设计研发完成，并于2025-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种通过双栅铁电场效应晶体管实现多值寻址器的方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种通过双栅铁电场效应晶体管实现多值寻址器的方法，涉及寻址器技术领域，对顶部金属栅、底部金属栅、沟道和MFIS叠层结构进行制备，获得双栅极铁电场效应晶体管结构材料；构建双栅极铁电场效应晶体管结构，通过双栅极铁电场效应晶体管进入pMOS型工作模式；根据双栅极铁电场效应晶体管结构对顶部金属栅极与底部金属栅进行电压控制调节，获得控制判断信息；通过控制顶部金属栅极与底部金属栅的电压总和，进行电压扫描，获取寻址点，进而获取多值寻址功能，本发明仅通过单个双栅铁电场效应晶体管，实现了多值寻址器功能，大大节约了占用空间和处理资源。

本发明授权一种通过双栅铁电场效应晶体管实现多值寻址器的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过双栅铁电场效应晶体管实现多值寻址器的方法，其特征在于，所述方法包括： S1、对顶部金属栅101、底部金属栅102、沟道107和MFIS叠层结构进行制备，获得双栅极铁电场效应晶体管结构材料； S2、通过双栅极铁电场效应晶体管结构材料构建双栅极铁电场效应晶体管结构，通过双栅极铁电场效应晶体管进入pMOS型工作模式； S3、根据双栅极铁电场效应晶体管结构对顶部金属栅极101与底部金属栅102进行电压控制调节，获得控制判断信息； S4、通过控制顶部金属栅极101与底部金属栅102的电压总和，进行电压扫描，获取寻址点，进而获取多值寻址功能； 其中，所述S3包括： 进入pMOS型工作模式后，对双栅极铁电场效应晶体管结构进行写入操作； 在进行写入操作时，对顶部金属栅极101与底部金属栅102进行电压控制，通过检测漏极电流变化获取控制判断信息； 其中，所述S4包括： 在读取操作过程中，控制顶部金属栅极101与底部金属栅102的电压总和为零，对其中一个栅极进行电压扫描，同时调整另一个栅极以满足对称条件，测试电流和电压的变化； 当漏极电流下降至极小值时，判定顶部金属栅极101或底部金属栅102偏压的绝对值为存储状态的寻址点信息； 根据寻址点信息生成多值寻址功能。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道旅学路177号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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