中国科学技术大学苏州高等研究院;中国科学技术大学杨亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学苏州高等研究院;中国科学技术大学申请的专利一种气体传感器、激光直写制备气体传感器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120905657B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511453547.1，技术领域涉及：C23C18/12；该发明授权一种气体传感器、激光直写制备气体传感器的方法是由杨亮;侯文祥;张雨生;陈雪飞;李大宇设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种气体传感器、激光直写制备气体传感器的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种气体传感器、激光直写制备气体传感器的方法。所述方法包括：使金属电极与激光直写墨水接触，激光直写墨水包括镍源、多孔结构导向剂和溶剂；将激光照射金属电极与激光直写墨水的指定接触区域，使金属电极吸收激光而发热，以在指定接触区域形成水热反应区，并使水热反应区内的激光直写墨水进行水热反应，从而在金属电极上生长多孔氢氧化镍，获得前驱体结构；以及，对前驱体结构进行退火处理，以使多孔氢氧化镍转变为多孔氧化镍，从而制得气体传感器。本发明提供的气体传感器具有多孔的氧化镍，其具有较大的比表面积，能够增加气体传感器和目标气体的有效接触面积，提高气体传感器的气体响应度。
本发明授权一种气体传感器、激光直写制备气体传感器的方法在权利要求书中公布了：1.一种激光直写制备气体传感器的方法，其特征在于，包括： 使金属电极与激光直写墨水接触，所述激光直写墨水包括镍源、多孔结构导向剂和溶剂； 将激光照射所述金属电极与激光直写墨水的指定接触区域，使所述金属电极吸收激光而发热，以在所述指定接触区域形成水热反应区，并使所述水热反应区内的激光直写墨水进行水热反应，从而在所述金属电极上生长多孔氢氧化镍，获得前驱体结构； 以及，对所述前驱体结构进行退火处理，以使所述多孔氢氧化镍转变为多孔氧化镍，从而制得所述气体传感器。
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