全芯智造技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉全芯智造技术有限公司申请的专利光学邻近校正方法、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120891695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511438235.3，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光学邻近校正方法、电子设备及存储介质是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学邻近校正方法、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本公开涉及光学邻近校正方法、电子设备及存储介质。该方法包括：确定由初始版图切分成的子版图中较高优先级的第一子版图中图形轮廓和较低优先级的第二子版图中与第一子版图相邻的预定范围内图形轮廓的切割位置，以将各个图形轮廓切割成多个第一可移动线段和多个第一可移动点；迭代地偏移第一可移动线段和第一可移动点，直至最终偏移第一偏移量时将第一子版图校正为第一校正子版图；基于切割位置对第二子版图的图形轮廓进行偏移以生成第二校正子版图。本公开的方案能显著改善版图边界处的不连续现象。
本发明授权光学邻近校正方法、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光学邻近校正方法，包括： 确定由初始版图切分成的多个子版图中较高优先级的第一子版图中的图形轮廓和较低优先级的第二子版图中与所述第一子版图相邻的预定范围内的图形轮廓的切割位置，以将各个图形轮廓切割成多个第一可移动线段和多个第一可移动点； 迭代地偏移所述多个第一可移动线段和多个第一可移动点，直至最终偏移为第一偏移量时将所述第一子版图校正为第一校正子版图；以及 基于所述切割位置对所述第二子版图的图形轮廓进行偏移以生成第二校正子版图。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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