买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉东虹芯光(上海)高科技有限公司申请的专利基于分体键合的MOEMS扫描光栅的晶圆级制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120841438B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510976854.1，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权基于分体键合的MOEMS扫描光栅的晶圆级制造方法是由汪洋;田海波设计研发完成，并于2025-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于分体键合的MOEMS扫描光栅的晶圆级制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供了基于分体键合的MOEMS扫描光栅的晶圆级制造方法，涉及光电子器件制造技术领域，包括：在第一晶圆上批量制备多个MEMS致动器；在第二晶圆上采用纳米压印工艺，制备出与所述MEMS致动器位置精确对应的多个光学光栅结构。采用基于红外透视和机器视觉的晶圆级对准技术，将所述第一晶圆与第二晶圆进行高精度对准。通过低温热压键合工艺，将对准后的两片晶圆永久地键合为一体。对键合晶圆进行结构释放和划片切割，以获得多个独立的MOEMS扫描光栅器件。本申请通过将MEMS工艺与光学元件工艺完全解耦，并采用晶圆级键合代替芯片级贴装，实现了器件的高性能、高精度、高良率。

本发明授权基于分体键合的MOEMS扫描光栅的晶圆级制造方法在权利要求书中公布了：1.基于分体键合的MOEMS扫描光栅的晶圆级制造方法，其特征在于，包括： 获取第一晶圆和第二晶圆，其中，所述第一晶圆上批量形成有多个MEMS致动器，所述第二晶圆上批量形成与所述MEMS致动器位置对应的多个光栅结构； 在所述第一晶圆的MEMS致动器区域形成第一对准标记，并在所述第二晶圆的光栅结构区域形成与所述第一对准标记位置对应的第二对准标记； 将所述第一晶圆与所述第二晶圆进行位置对准，使所述第一对准标记与所述第二对准标记的位置偏差小于预设对准偏差阈值； 在完成对准的所述第一晶圆和第二晶圆之间形成键合层，并通过低温热压工艺实施晶圆键合，得到键合晶圆； 对所述键合晶圆实施结构释放工艺，并对结构释放后的键合晶圆进行划片切割，获得多个分体键合的MOEMS扫描光栅器件； 所述批量形成与所述MEMS致动器位置对应的多个光栅结构还包括： 采用空间位置映射技术进行预先补偿；所述预先补偿包括： 通过对测试晶圆进行键合和测量，获取一组表征晶圆非线性形变的位移矢量场数据； 其中，所述位移矢量场数据包括：由全局性热失配导致的全局性的低频翘曲信息和由局部性缺陷或应力集中导致的局部性的高频形变信息； 采用小波变换对所述位移矢量场数据进行多分辨率分析，将所述位移矢量场数据分解为至少一个用于表征全局性翘曲的低频分量和一个用于表征局部性形变的高频分量； 通过对所述低频分量和高频分量的数学建模，生成一个以校正查找表或校正函数形式存在的、同时校正所述全局性翘曲与局部性形变的校正模型； 对原始光刻版图中用于定义几何图形的坐标数据，应用校正模型进行坐标变换，生成经过预补偿校正的最终光刻版图； 采用所述最终光刻版图在所述第一晶圆和第二晶圆上形成所述MEMS致动器和所述光栅结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东虹芯光(上海)高科技有限公司，其通讯地址为：200443 上海市宝山区共和新路5199号1幢4-5层、14-15层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。