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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种宽禁带半导体钙钛矿异质结忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120835744B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511343784.2，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种宽禁带半导体钙钛矿异质结忆阻器及其制备方法是由孙蕊;贾玉萍;黎大兵;孙晓娟;吕顺鹏;刘明睿;蒋科;王炳翔;梁岷川设计研发完成，并于2025-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽禁带半导体钙钛矿异质结忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及忆阻器技术领域，尤其涉及一种宽禁带半导体钙钛矿异质结忆阻器及其制备方法。忆阻器自下而上包括依次紧密堆叠的衬底、宽禁带薄膜层、钙钛矿薄膜层及金属薄膜电极；钙钛矿薄膜层与宽禁带薄膜层形成异质结；钙钛矿薄膜层的材料为准二维金属卤化物钙钛矿。宽禁带薄膜层通过等离子体表面改性，提高钙钛矿薄膜层的附着力和结晶质量；采用溶胶‑凝胶法和热蒸发法，实现了优异的结晶性和渐变开关特性，降低高电阻状态下的电流水平，改善了器件的电压‑电流特性、降低了功耗。优点在于：异质结忆阻器具有大的开关比，且具有稳定的保持时间和循环性能。

本发明授权一种宽禁带半导体钙钛矿异质结忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体钙钛矿异质结忆阻器，其特征在于：自下而上包括依次紧密堆叠的衬底、宽禁带薄膜层、钙钛矿薄膜层及金属薄膜电极；宽禁带薄膜层中宽禁带半导体采用AlN、GaN、AlxGa1-xN中的任意一种，0＜x＜1；宽禁带薄膜层存在悬挂键； 钙钛矿薄膜层与宽禁带薄膜层形成异质结； 钙钛矿薄膜层的材料为准二维金属卤化物钙钛矿；所述准二维金属卤化物钙钛矿的A位采用CACs＋、CAFA＋、CAMA＋、BACs＋或有机阳离子中的任意一种；钙钛矿的B位采用Pb2+、Sn2+中的任意一种，钙钛矿的X位采用ClBr-、Br-、BrI-中的任意一种； 所述钙钛矿薄膜层，是采用旋涂法，在经过预处理的宽禁带薄膜层上旋涂准二维钙钛矿前驱体溶液，并在100~180℃条件下退火8~15分钟得到的； 所述宽禁带薄膜层采用金属有机物气相沉积方法制备，预处理过程具体如下：分别用去离子水、乙醇、丙醇和乙醇超声清洗宽禁带薄膜层各8~15分钟，再放入等离子体中处理3~10分钟，进行表面改性。

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