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龙图腾网获悉黄山学院申请的专利基于非晶丝巨磁阻抗效应的磁场传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120831613B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510984730.8，技术领域涉及：G01R33/06；该发明授权基于非晶丝巨磁阻抗效应的磁场传感器是由胡松;郑小帆;潘丹丹;金煌煌;赵磊;窦子晴设计研发完成，并于2025-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于非晶丝巨磁阻抗效应的磁场传感器在说明书摘要公布了：本发明提供的基于非晶丝巨磁阻抗效应的磁场传感器，涉及磁场测试技术领域，包括敏感元件模块、激励模块、信号处理模块和抗干扰模块；敏感元件模块采用CoFeSiB非晶丝作为核心敏感材料，非晶丝外围均匀缠绕漆包线形成电感线圈，通过电感线圈将非晶丝的巨磁阻抗效应转化为电压信号；激励模块用于生成并输出高频交变激励信号激励信号加载至电感线圈两端，使非晶丝在高频电流作用下产生与待测磁场强度相关的阻抗变化。通过非晶丝巨磁阻抗效应、惠斯通电桥抗干扰、温度补偿算法、多层密绕及阻抗匹配工艺的模块化设计与多技术协同，突破传统磁场传感器在灵敏度、抗干扰性、温漂控制及信号传输效率方面的性能瓶颈，实现高精度、高可靠性的宽温域磁场检测。

本发明授权基于非晶丝巨磁阻抗效应的磁场传感器在权利要求书中公布了：1.基于非晶丝巨磁阻抗效应的磁场传感器，其特征在于，包括敏感元件模块、激励模块、信号处理模块和抗干扰模块； 所述敏感元件模块采用CoFeSiB非晶丝作为核心敏感材料，所述非晶丝外围均匀缠绕漆包线形成电感线圈，通过所述电感线圈将非晶丝的巨磁阻抗效应转化为电压信号，转化过程包括： 将高频交变信号加载至电感线圈，使非晶丝产生趋肤效应，其趋肤深度公式为：，其中为非晶丝电阻率，为非晶丝磁导率，f为激励频率； 利用电感线圈的感抗特性，将非晶丝阻抗变化量转化为线圈两端的电压变化量，公式为，其中为激励电流有效值，为激励电压幅值，为非晶丝初始阻抗； 所述激励模块用于生成并输出高频交变激励信号所述激励信号加载至电感线圈两端，使非晶丝在高频电流作用下产生与待测磁场强度相关的阻抗变化； 所述信号处理模块用于对电感线圈的电压信号进行滤波、放大及模数转换处理； 所述抗干扰模块采用差分桥式结构抑制共模噪声，具体采用四个电感线圈串联的桥式结构： 将四个电感线圈分为两组，同一轴向方向的两个线圈为一组，另一轴向的两个线圈为另一组，两组线圈匝数、尺寸及磁路分布完全对称，形成惠斯通电桥结构，且通过采用差分原理抵消共模噪声干扰，具体为： 当外界共模噪声磁场引起各组线圈阻抗均变为时，控制电桥输出电压，电桥输出电压的表达式为：，其中，表示加载到电桥对角线两端的激励电压，表示线圈的初始阻抗，外界共模噪声磁场引起的线圈阻抗变化量； 还包括温度补偿模块，通过集成热敏电阻实时监测温度，并采用线性补偿算法，包括以下步骤： 通过集成在传感器内部的热敏电阻实时感知温度，热敏电阻阻值与温度T满足，其中为温度时的阻值，B为热敏电阻材料常数； 根据温度与传感器输出偏差的线性关系，采用公式计算补偿电压，其中k为温度系数，为参考温度值； 将计算得到的补偿电压与传感器原始输出电压进行运算，得到补偿后的输出电压，运算公式为； 其中，电感线圈采用多层密绕工艺，层间设置绝缘薄膜，且线圈两端集成阻抗匹配网络； 所述阻抗匹配网络由可调电容和电阻组成，通过调节匹配网络参数使线圈阻抗与激励模块输出阻抗匹配： 使用网络分析仪测量电感线圈阻抗和激励模块输出阻抗，根据匹配公式计算并调节可调电容和电阻的值，使两者阻抗匹配； 其中，在匹配过程中，通过可调式电容C和电阻R来改变电感线圈的总阻抗，其中电感线圈电抗，根据与，满足且实现阻抗匹配，其中w为激励信号角频率，L为电感量，为分布电容。

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