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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种基于隧穿效应的P型场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120825984B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511318981.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种基于隧穿效应的P型场效应晶体管及其制备方法是由王成财;蓝泽龙;贺致远设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于隧穿效应的P型场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体管的技术领域，涉及一种基于隧穿效应的P型场效应晶体管，包括依次设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层以及第一P型材料层；第一P型材料层上方设有第二P型材料层、介质层以及第三P型材料层；第二P型材料层上方设有源极；第三P型材料层上方设有漏极；介质层覆盖源极、第二P型材料层、第三P型材料层以及漏极；介质层上设有栅极；漏极与第三P型材料层形成欧姆接触，源极与第二P型材料层形成肖特基接触。本发明还提供了一种制备方法，包括：S1、提供外延结构；S2、沉积漏极；S3、沉积源极；S4、选择性刻蚀P型材料层；S5、沉积介质层；S6、对介质层进行选择性去除；S7、沉积栅极。本发明既能保证常关特性，又降低了导通电阻。

本发明授权一种基于隧穿效应的P型场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于隧穿效应的P型场效应晶体管，其特征在于，包括： 自下而上依次设置的衬底1、缓冲层2、沟道层3、势垒层4以及第一P型材料层5、介质层10； 所述第一P型材料层5上方突出设置有第二P型材料层6以及第三P型材料层11，所述第一P型材料层5上方、第二P型材料层6侧壁、第三P型材料层11侧壁共同构成第一凹槽结构； 所述第二P型材料层6上方覆盖有源极7；所述第三P型材料层11上方覆盖有漏极9； 所述介质层10连续覆盖所述源极7上方及侧壁、所述第一凹槽结构以及所述漏极9上方及侧壁，从而使所述介质层10上表面形成第二凹槽结构；所述第二凹槽结构内且靠近所述源极7的一侧设置有栅极8； 其中，所述漏极9与所述第三P型材料层11之间形成欧姆接触，所述源极7与所述第二P型材料层6之间形成肖特基接触，构成肖特基结，所述栅极8通过所述介质层10调控所述肖特基结的势垒宽度以控制空穴隧穿行为； 所述栅极8处于零偏置状态时，所述肖特基结保持原始势垒宽度，从而阻断空穴传输；所述栅极8施加负偏压时，通过所述介质层10作用于所述肖特基结，从而减小所述肖特基结的势垒宽度，提高空穴隧穿概率； 所述栅极8设置在所述第二凹槽结构上，且部分覆盖所述介质层10位于所述源极7和所述漏极9正上方的区域。

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