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龙图腾网获悉希烽光电科技(南京)有限公司;NANO科技(北京)有限公司申请的专利异质集成薄膜铌酸锂调制器的硅光集成芯片及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120802522B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511305890.1，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权异质集成薄膜铌酸锂调制器的硅光集成芯片及制作方法是由刘亚东;吴丹;祁帆;方舟设计研发完成，并于2025-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本异质集成薄膜铌酸锂调制器的硅光集成芯片及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异质集成薄膜铌酸锂调制器的硅光集成芯片，包括硅衬底、二氧化硅埋氧层、硅波导器件层、氮化硅波导器件层、二氧化硅包层Ⅰ、金属电极层Ⅰ、薄膜铌酸锂波导层、二氧化硅包层Ⅱ、金属电极层Ⅱ和二氧化硅保护层，二氧化硅埋氧层置于硅衬底上，硅波导器件层置于二氧化硅埋氧层上，氮化硅波导器件层置于硅波导器件层上，金属电极层Ⅰ置于硅波导器件层上，薄膜铌酸锂波导层置于二氧化硅包层Ⅰ上，金属电极层Ⅱ置于二氧化硅包层Ⅱ上。本发明还公开一种异质集成薄膜铌酸锂调制器的硅光集成芯片的制作方法。优点，本发明通过芯片‑晶圆或晶圆‑晶圆级的键合或BCB胶水粘接等方式将薄膜铌酸锂在含氮化硅波导的硅光工艺平台上异质集成。

本发明授权异质集成薄膜铌酸锂调制器的硅光集成芯片及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种异质集成薄膜铌酸锂调制器的硅光集成芯片的制作方法，其特征在于，所述硅光集成芯片，包括硅衬底1、二氧化硅埋氧层2、硅波导器件层、氮化硅波导器件层、二氧化硅包层Ⅰ8、金属电极层Ⅰ、薄膜铌酸锂波导层9、二氧化硅包层Ⅱ14、金属电极层Ⅱ15和二氧化硅保护层16， 二氧化硅埋氧层2置于硅衬底1上， 硅波导器件层置于二氧化硅埋氧层2上且位于二氧化硅包层Ⅰ8内， 氮化硅波导器件层置于硅波导器件层上且位于二氧化硅包层Ⅰ8内， 金属电极层Ⅰ置于硅波导器件层上，且位于二氧化硅包层Ⅰ8内，制作射频信号电极和直流信号电极，用于硅波导器件的电路连接； 薄膜铌酸锂波导层9置于二氧化硅包层Ⅰ8上，且位于二氧化硅包层Ⅱ14内； 金属电极层Ⅱ15置于二氧化硅包层Ⅱ14上，且位于二氧化硅保护层16内，制作射频信号电极和直流信号电极，用于薄膜铌酸锂波导器件的电路连接； 所述硅光集成芯片的制作方法，包括如下步骤： 步骤1、选取一个SOI晶圆； 步骤2、在SOI晶圆的顶层硅上采用P型离子注入形成P+区和P++区； 步骤3、刻蚀SOI晶圆的顶层硅，得到硅波导3，硅波导3上制备端面耦合器、分束器、合束器、多模干涉耦合器、定向耦合器和偏振分束器，形成硅波导器件层；其中，部分P++区作为加热器18； 步骤4、在P+区上外延生成锗层7，在锗层7上生长多晶硅，再采用N型离子注入形成N+区；P+区，锗层7和N+区构成硅锗探测器19； 步骤5、采用等离子增强化学气相沉积工艺PECVD或低压化学气相沉积工艺LPCVD，在硅波导器件层上制备氮化硅波导，刻蚀氮化硅波导，制备端面耦合器、分束器、合束器、多模干涉耦合器和定向耦合器，形成氮化硅波导器件层；刻蚀硅波导3和氮化硅波导制备垂直绝热耦合器17； 步骤6、在P++区和N+区上，均制备金属电极层Ⅰ； 步骤7、在金属电极层Ⅰ上沉积二氧化硅包层Ⅰ8，并进行化学机械抛光降低表面粗糙度，形成完整的硅光晶圆； 步骤8、选取一个薄膜铌酸锂晶圆，通过芯片-晶圆或晶圆-晶圆的键合或BCB胶水粘接的方式，将薄膜铌酸锂晶圆倒置在二氧化硅包层Ⅰ8上；具体为： 选取一个薄膜铌酸锂晶圆，进行化学机械抛光，通过晶圆-晶圆的键合的方式实现异质集成：两晶圆清洗后进行等离子体活化；或使用BCB胶水粘接的方式实现异质集成：在硅光晶圆表面旋涂BCB胶水；然后对准：将薄膜铌酸锂晶圆倒置在二氧化硅包层Ⅰ8上，铌酸锂波导需要与氮化硅波导的位置对准，才能使氮化硅波导的光耦合到薄膜铌酸锂波导中；进行快速热处理； 步骤9、去除薄膜铌酸锂晶圆的硅衬底和二氧化硅埋氧层； 步骤10、刻蚀薄膜铌酸锂晶圆顶部，形成薄膜铌酸锂波导层9； 步骤11、沉积二氧化硅包层Ⅱ14，为了在铌酸锂波导上制作金属电极，刻蚀去掉一部分二氧化硅包层Ⅱ14；并为硅光晶圆开pad做准备：刻蚀二氧化硅包层Ⅱ14和二氧化硅包层Ⅰ8； 步骤12、在二氧化硅包层Ⅱ14上生长金属电极层Ⅱ15；其中，金属电极层Ⅱ15，薄膜铌酸锂波导层9，垂直绝热耦合器17构成异质集成薄膜铌酸锂调制器20； 步骤13、沉积二氧化硅保护层16，刻蚀金属电极层Ⅱ15上的二氧化硅保护层16，沉积金属形成pad。

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