武汉理工大学徐辰获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利准零刚度和Helmholtz共振腔组合结构吸声系数预测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120764258B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510867501.8,技术领域涉及:G06F30/23;该发明授权准零刚度和Helmholtz共振腔组合结构吸声系数预测方法是由徐辰;孙云松;毛义军设计研发完成,并于2025-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本准零刚度和Helmholtz共振腔组合结构吸声系数预测方法在说明书摘要公布了:一种准零刚度和Helmholtz共振腔组合结构吸声系数预测方法,涉及声学领域。准零刚度和Helmholtz共振腔组合结构吸声系数预测方法在构建准零刚度和Helmholtz共振腔的组合结构后,分别构建反映准零刚度的结构参数与Helmholtz共振腔底板声阻抗率之间关系的代理模型和反映吸声系数与Helmholtz共振腔底板声阻抗率之间关系的解析模型,进而结合代理模型和解析模型预测准零刚度和Helmholtz共振腔组合结构的吸声系数,能够快速高效的预测准零刚度和Helmholtz共振腔组合结构的吸声系数,从而实现组合结构低频吸声性能与紧凑尺寸优化。
本发明授权准零刚度和Helmholtz共振腔组合结构吸声系数预测方法在权利要求书中公布了:1.一种准零刚度和Helmholtz共振腔组合结构吸声系数预测方法,其特征在于,包括以下步骤: 构建准零刚度和Helmholtz共振腔的组合结构; 构建反映准零刚度的结构参数与Helmholtz共振腔底板声阻抗率之间关系的代理模型;采用以下公式反映准零刚度的结构参数与Helmholtz共振腔底板声阻抗率之间关系: ; 式中,z4为Helmholtz共振腔底板声阻抗率;p4为Helmholtz共振腔底板表面的声压,ρ0为空气密度,c0为空气声速,u4为Helmholtz共振腔底板的质点声振速;为准零刚度区间的两点之间的力之差,为准零刚度区间的两点之间的位移;S为Helmholtz共振腔底板面积;i为虚部单位;为声波角频率;为准零刚度区间的两点斜率; 构建反映吸声系数与Helmholtz共振腔底板声阻抗率之间关系的解析模型;采用以下公式反映吸声系数与Helmholtz共振腔底板声阻抗率之间关系: ; 式中,α为入射声波为平面波时的吸声系数;R和X分别代表无量纲声阻抗率的声阻和声抗; 结合代理模型和解析模型预测准零刚度和Helmholtz共振腔组合结构的吸声系数。
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